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总投资20亿，砷化镓、磷化铟衬底项目落地浙江

2026-07-08 11:48:10 [编辑：Akwan]
近日，相关媒体报道，总投资20亿元的高端化合物半导体衬底项目完成备案，正式落户浙江衢州。
 
 
图片来源：拍信网正版图库
 
项目由浙江先导微电子科技有限公司投建，规划形成年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片的综合能力，合计年产能达600万片，建设周期为2026年8月至2029年8月。
 
根据备案信息，该项目计划依托企业现有场地进行升级扩建，重点引入高端晶体生长、精密抛光及缺陷检测等核心设备，主攻4至6英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底产品。达产后可为下游光芯片、光模块及射频器件企业提供稳定的上游材料支撑。
 
据悉，浙江先导微电子属于先导科技集团间接控股子公司，是国内首家实现6英寸磷化铟衬底、8英寸砷化镓衬底量产的企业。公司已搭建起覆盖2至8英寸砷化镓、2至6英寸磷化铟的先进生产线，现有成熟产能包括砷化镓360万片每年、磷化铟24万片每年。公司产品已进入国内头部光芯片和光模块企业的供应链体系。
 
值得注意的是，先导微电子的母公司先导科技集团，在光通信领域已构建起从上游稀散金属提纯到终端光模块的完整垂直一体化产业链。
 
集团依托铟、镓、锗等稀散金属资源掌控能力，由广东先导微电子生产8英寸砷化镓及6英寸磷化铟衬底，再由旗下威科赛乐微电子制造外延片与激光器芯片，产品覆盖VCSEL、MPD、APD、EML等光通信核心芯片。
 
在光模块环节，武汉海飞通已推出400G和800G高速光模块，并规划1.6T及CPO前沿技术。这一从原材料、衬底、芯片到封装模组的闭环布局，使先导科技成为国内少数具备光通信全产业链自主可控能力的企业。（来源：集邦光通信整理）
 
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