近日,思坦科技、镭昱光电、奇立电子相继取得最新Micro LED专利,涉及集成化系统、微显示芯片制备、微显示器件像素寻址等技术内容。
思坦科技:取得Micro-LED集成化系统专利
2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市思坦科技有限公司取得一项名为“Micro-LED的集成化系统”的专利,授权公告号CN112863430B,申请日期为2021年02月。
图片来源:国家知识产权局
该发明实施例公开了一种Micro-LED的集成化系统。该系统包括:FPGA芯片,用于生成控制信号;PCB电路板,包括信号转接电路和电源转换电路,信号转接电路用于接收FPGA芯片发送的控制信号,电源转换电路用于接收FPGA芯片传输的工作电压,并将电源电源转换为低压模拟电压和低压数字电压;Micro-LED显示模块,包括Micro-LED显示阵列和Micro-LED驱动芯片,Micro-LED驱动芯片用于根据信号转接电路发送的控制信号、电源转换电路发送的低压模拟电压和低压数字电压驱动Micro-LED显示阵列点亮。本发明实施例实现了Micro-LED显示系统的小型集成化。
镭昱光电:取得Micro LED微显示芯片及其制备方法专利
2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,镭昱光电科技(苏州)有限公司取得一项名为“Micro LED微显示芯片及其制备方法”的专利,授权公告号CN119730528B,申请日期为2025年02月。
图片来源:国家知识产权局
该发明申请涉及显示芯片技术领域,提出一种Micro LED微显示芯片及其制备方法,微显示芯片包括驱动基板和设置于驱动基板上的发光结构;发光结构包括:彼此间隔排布于驱动基板上的多个LED单元,每个LED单元能够由驱动基板分别单独驱动,多个LED单元具有一一对应的多个LED台面;第一栅栏结构,第一栅栏结构具有多个第一栅格孔,多个第一栅格孔分别围绕多个LED台面,第一栅栏结构高于多个LED单元;设置于第一栅栏结构上的光学层,LED台面和光学层在对应的第一栅格孔处形成空腔区域。以简单工艺形成空腔区域,降低LED单元的发热传导至上方的光转换结构,不仅提升微显示芯片的使用寿命,还降低了制造成本。
奇立电子:取得超高像素密度Micro-LED微显示器件像素寻址相关专利
6月20日消息,国家知识产权局信息显示,深圳奇立电子科技有限公司取得一项名为“超高像素密度Micro-LED微显示器件像素寻址方法及装置”的专利,授权公告号CN119785703B,申请日期为2025年03月。
图片来源:国家知识产权局
该发明涉及一种超高像素密度Micro-LED微显示器件像素寻址方法及装置。该方法:对Micro-LED微显示器件的像素阵列结构参数进行补偿参数采集,得到像素补偿基准值;对阈值电压偏差分布特征进行补偿网络构建,得到阈值电压补偿网络;对供电金属走线进行分段设计,得到IR Drop补偿参数;通过双层补偿因子的马尔科夫决策推理模型进行工艺补偿计算,得到工艺补偿数据;进行寻址控制的时序优化,得到行列扫描信号时序参数;对行列扫描信号时序参数进行光电特性测试,采集显示均匀性数据,并通过补偿参数评估得到目标补偿配置参数。本发明的实施在降低芯片引脚数量的同时保证了驱动时序的稳定性。(LEDinside整理)
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