京瓷开发新技术,可将Micro LED制造成本减半

近日,据相关媒体报道,日本京瓷(Kyocera)开发了一种Micro LED制造新技术,通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底,将Micro LED成本降至一半以下。

据悉,硅衬底GaN技术是目前Micro LED制造重要路线之一。相较传统的蓝宝石衬底GaN技术,硅衬底GaN技术在制程良率、晶圆成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势。

而京瓷研发的新技术,具体而言是通过硅衬底上形成氮化镓层,并留出狭长的缝隙进行遮蔽,然后在氮化镓层上再次成膜,氮化镓层从缝隙中延伸到掩膜材料之上,将其剥离之后即可完成制作。京瓷已对该技术进行相关专利申请并争取在2025财年实现应用。

京瓷开发新技术,可将Micro LED制造成本减半

图片来源:京瓷官网

值得注意的是,近年来,京瓷陆续与LED厂商合作开发Micro LED产品与技术。2019年,京瓷集团与Micro LED技术厂商glō合作开发了一款1.8英寸Micro LED显示器,解析度可达200 PPI,亮度高达1百万nit,产品可应用于智能穿戴领域。

2020年,京瓷与欧司朗合作开发一项Micro LED显示驱动技术,能避免使用较低的像素电流通过Micro LED芯片,从而减少低灰阶水平下的亮度偏差和色彩偏移问题。该技术可应用于AR用Micro LED显示器中,为AR眼镜带来高亮度与出色的色彩显示。(LEDinside整理)

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