近期，三安光电大动作接连不断。6月4日，70亿元的定增新股申请刚获证监会核准批复；6月7日，与TCL华星的Micro LED联合实验室正式成立；昨（16）日宣布160亿元投资碳化硅等化合物半导体市场。
公告显示，6月15日，三安光电与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。三安光电决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。
项目实施主体为拟成立的长沙控股子公司，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
三安光电称，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。
三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
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近几年来，国家大力扶持半导体产业，相关政策的出台加快了第三代半导体产业的国产化进程，并且国产化的呼声越来越高。化合物半导体产品逐渐发展成为相关企业强劲的增长动能，越来越多厂商进军该市场。作为LED行业龙头厂商，三安光电的发展重心早已转向化合物半导体、Mini/Micro LED显示以及汽车照明市场。
在本次项目之前，三安光电已布局三大关于化合物半导体领域的项目，总投资额分别为330亿元、120亿元、138亿元。目前，三安光电正在全力推进各大项目的建设。
其中，330亿元产业化项目落户福建省泉州芯谷南安园区，具体包括七大产业化项目：高端氮化镓 LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓 LED 外延、芯片的研发与制造产业化项目；大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目；光通讯器件的研发与制造产业化项目；射频、滤波器的研发与制造产业化项目；功率型半导体（电力电子）的研发与制造产业化项目；特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。
此项目计划五年内实现投产，七年内全部项目实现达产。2019年，项目购买的设备陆续到厂，已有部分设备安装完成，已进入调试阶段，待调试完成后将逐步释放产能。
120亿元III-V族化合物半导体落户湖北省葛店经济技术开发区，主要研发、生产、销售Mini/Micro LED外延与芯片产品及相关应用。2019年，该项目完成土地摘牌，目前正在建设中。
138亿元半导体研发与产业化项目（一期）聚焦氮化镓、砷化镓、特种封装三大业务板块。其中70亿元为募集资金，长沙先导高芯与格力分别认购50亿元、20亿元。项目主要产品包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、RS红光/红外产品、Mini/Micro LED芯片、车用LED照明、植物照明LED芯片、大功率激光器、太阳电池芯片等。本月初，此次70亿元的定增新股申请获得证监会核准批复。
本次160亿元的化合物半导体项目再一次表明三安光电发力高端半导体市场的决心，不断加快步伐抢占市场占有率。随着半导体国产化的诉求不断升温，三安光电的又一次豪气投资将有助于进一步推动国产半导体产业的发展。（文：LEDinside Janice）
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