台积电加快先进制程布局，昨（23）日破天荒砸下逾32亿元购买竹南科学园区土地，做为18吋晶圆、7奈米制程的研发与早期生产基地，估计2016年动工、2017年装机，进度比英特尔还快，是全球首家规划18吋晶圆建厂蓝图的半导体厂。
台积电过去建厂土地都是向科学园区管理局租赁，这次是首次大手笔花钱买地，展现加快新世代技术脚步，奠定晶圆代工龙头的决心。台积电明（25）日举行法说会，预期先进制程的脚步将是热门话题，昨天收盘价85.7元，跌0.3元。
业界解读，台积电日前与英特尔、三星合资微影设备大厂艾司摩尔（ASML），加速18吋晶圆与极深度紫外光（EUV）发展，这次又大手笔买地，是先进制程布局的延伸。
台积电现阶段最先进的制程技术为28奈米，这次着手布建7奈米生产蓝图，是28奈米之后，未来4个世代的技术，搭配18吋晶圆生产，可让每颗芯片更轻薄短小、每单位晶圆产出更多，大幅降低生产成本。
台积电这次以32.1亿元，向苗栗县政府标下竹南科学园区2笔计14.32公顷土地。台积电主管透露，这次购地主要考量新竹科学园区已无土地可供建厂，为因应下一世代产品技术不断推陈出新，台积电必须及早做好“土地库存”的准备。
台积电表示，最新制程的开发都以竹科总部Fab12厂为研发基地，但目前已经没有土地可做为18吋晶圆的研发厂房，内部团队评估后决定出手标地。
台积电暂时将这块新取得的土地定为Fab12的第8期用地，最快2016年动工兴建厂房。业界推算，台积电在Fab12第8期导入18吋晶圆研发与试产后，最快2017年底在中科15厂第5期导入量产。
台积电将成为全球首家规划18吋晶圆建厂蓝图的半导体厂，领先英特尔、三星、格罗方德、联电等劲敌。台积电今年资本支出拉高到85亿美元（约新台币2,495亿元），外资看明年资本支出继续向上，而透过高资本支出扩大先进制程生产线，正是台积电甩开竞争对手的策略。
台积电先进制程需求强劲，扩产脚步不受景气回档影响，竹科Fb12第六期厂房已装机，20奈米明年初如期量产。
