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松下开发出将Si基板上氮化鎵（GaN）晶体管的耐压提高至5倍以上的技术

2010-12-10 11:44:38 [编辑：wendymeng]

松下半导体（Panasonic Semiconductor）开发出了可将硅（Si）基板上形成的氮化鎵（GaN）功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术，有望实现3000V以上的耐压。 

松下半导体解明了GaN功率晶体管的耐压只取决于GaN膜耐压的原因，并对该问题产生的原因——流过硅基板和GaN表面的洩漏电流进行了抑制，从而提高了GaN功率晶体管的耐压。使GaN膜厚度达到1.9μm，耐压达到2200V，提高至原来的5倍以上。

此外，松下半导体表示，如果使用过去曾报告过的9μm的GaN膜厚度，将有可能实现3940V的耐压。 

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