近日，在芯元基半导体项目的建设现场，工人正在进行主体厂房内部装修，项目预计今年11月投产。
据了解，该项目由上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称“芯元基半导体”）全资子公司安徽芯元基半导体科技有限公司投资建设，于2020年11月签约落户安徽池州高新区，总投资6亿元，计划分两个阶段建设。
第一阶段主要建设第三代半导体GaN基UVA及DPSS项目，总投资6亿元，第二阶段主要建设GaN基电子功率器件项目及Micro LED项目。
其中，第一阶段具体细分为两期建设，一期投资2亿元，打造一条GaN基DPSS衬底生产线，一条UVA365nm芯片生产线，并建设配套设施等；二期投资4亿元，建设行政、生产一体化厂房及配套。
资料显示，芯元基半导体成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司，产品主要应用于工业固化、AR/VR、智能手表、电视、户外显示和特殊照明等领域。
目前，芯元基半导体已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等一批机构投资，并在上海临港和安徽池州建有中试和生产线。
今年年初，芯元基半导体宣布全屏点亮了适合微显示的5μm Micro LED芯片阵列，同时成功研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片。
7月，芯元基半导体宣布与多家显示行业头部厂家达成合作开发协议，公司的Chip on Carrier产品和Chip on Stamp产品已经通过客户的研发样品测试，并取得头部厂家的相关采购订单。
同月，芯元基半导体宣布突破了像素pitch小于4μm的关键工艺，成功点亮了0.12 inch、pitch 3.75μm的适合AR眼镜显示用的Micro LED芯片阵列，为提供高端AR微显示产品奠定了基础。
8月，芯元基半导体再次传出在Micro LED微显示方面取得重大研发进展，成功点亮了InGaN基红光适合微显示的pitch 8微米Micro LED芯片阵列。
至此，芯元基完成了微显示芯片全彩化方案所需的GRB三种单色光源，且全部是基于InGaN的材料体系。（LEDinside Mia整理）
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