作为LED上游外延芯片产品的关键材料之一，以GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）等为代表的第三代半导体产业在LED领域的“点名率”在近几年来不断提高。
第三代半导体又名化合物半导体，以较大的禁带宽度、高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等为特点，除了LED（半导体照明）以外，第三代半导体的应用场景还包括半导体激光器、太阳能电池、光电探测器等光电子领域。
国家政策加持，第三代半导体产业加速跑
国家2030年计划和“十四五”国家研发计划将第三代半导体列为重要的发展方向之一，将本就欣欣向荣的第三代半导体产业再次推向发展的新高潮。与此同时，第三代半导体因可提升能源转换效率的作用，在绿色经济中扮演着不可或缺的角色，成为推动国家“碳中和”目标实现的一大推力。
2020年，多个百亿级的第三代半导体项目落地的同时，新的产业集聚区也开始形成。进入2021年，基于原本已初现的区域格局，多地第三代半导体的产业集聚效应进一步增强。
一方面，行业内外企业以投资、融资或合作共生等方式不断抢进该市场；另一方面，更多新的第三代半导体相关项目签约落户。
据TrendForce集邦咨询统计，今年第一季度新立项的第三代半导体项目总投资额已超过100亿元。其中，苏州安捷利电子科技的半导体研发生产总部项目将全方位覆盖第三代半导体外延业务，提供全套的外延产品代工服务。
除了新签约的项目之外，还有多个项目在第一季开工，例如，青铜剑第三代半导体产业基地项目在深圳坪山开工奠基；苏州纳维第三代半导体产业基地奠基······
另值得一提的是，湖北三安总投资120亿元的III-V族化合物半导体项目于近日正式投产。按照规划，该项目生产的产品包括氮化镓芯片系列、砷化镓芯片系列等，接下来将逐渐释放产能。
显然，第三代半导体产业的发展已成为新的群雄逐鹿之地，在政策和资本的加持下，第三代半导体产业正在加速跑。
国星第三代半导体新品问世，新赛道开跑
有意思的是，第三代半导体赛道上，熟悉的LED企业面孔不断增多，芯片厂商有三安光电、华灿光电，乾照光电等；封装厂则有国星光电、木林森、天电光电等······阵容正在持续壮大。
作为LED封装龙头企业，国星光电在2020年便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作，开始大力布局“三代半封测”领域。
近期，国星正式推出一系列第三代半导体新产品，其中，TO-220/TO247系列的SiC MOSFET和SiC SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
与此同时，国星的三代半产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
目前，国星光电在第三代半导体领域已经形成了SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块三大产品系列，瞄准大功率电源、充电桩、快充、变频器、逆变器等领域。
其中，SiC功率器件可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域，特点包括小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前，该领域已形成SiC MOSFET、SiC SBD两条SiC功率器件拳头产品线；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）。
GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等领域，具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率。
功率模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发，采用其自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。
新产品的正式发布标志着国星在第三代半导体领域迈出了实质性的一步。未来，国星将继续立足LED封装行业，在巩固已有优势的基础上，前瞻性布局第三代半导体市场，积极寻求新的利润增长点。
终端应用方兴未艾，供应链产品“吃香”
5G通讯技术、新能源、电动汽车等新兴应用领域方兴未艾，强劲的需求带动着GaN、SiC等供应链产品的需求增长。
根据TrendForce集邦咨询调查，尽管2018年至2020年因贸易摩擦和疫情的影响，第三代半导体产业发展受挫。但在车用、工业与通讯需求的助推下，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。
其中，GaN功率器件的成长力道最大，预估GaN功率器件今年市场规模将达6,100万美元，年增率高达90.6%，而主要推动力是手机快速充电头。
手机快速充电头凭借高散热效能与体积小的优势获得消费者的青睐，自2018年起，小米、OPPO、Vivo等手机品牌率先推出快速充电头，华为也于2020年强势入局手机快充市场。并且，目前笔电行业也有厂商计划导入GaN快充产品。
TrendForce集邦咨询预估，GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件市场，且年增率将在2022年达到最高峰。
SiC器件适用于通讯领域及功率领域，主要应用领域包括快速充电桩、太阳能逆变器及高速铁路变频器等。
近年来，在电动车市场需求提升之际，为应对高电压、高频率及低耗损的技术需求，SiC功率元件被视为高电压IGBT的替代品，因此市场总值逐年攀升。展望2021年，TrendForce集邦咨询预估，功率领域用的SiC器件营收将可达6.8亿美元，年增32%。
终端需求如此明朗，GaN、SiC等第三代半导体器件可为相关厂商创造的价值就不言而喻了。有道是，商人逐利为贵，这也是不同行业厂商相继切入第三代半导体领域的原因之一。
如今，国星在第三代半导体新赛道上下的这盘大棋刚刚开局，三大系列产品锁定快充、逆变器、功率器件、车规级产品等前景广阔的领域，今年或有望成为其业绩增大的主要动能之一。
换个角度来看，更多像国星等拥有丰富技术积累的企业的加入，对第三代半导体产业而言有益无害。随着多方力量共同攻关第三代半导体产业在材料、设备、配套等薄弱环节的技术难题，第三代半导体产业国产化的进程将提速。（文：LEDinside Janice）
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