预计6月全面投产!湖南三安半导体项目芯片厂房封顶

19日,湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房完成封顶。标志着湖南三安第三代半导体产业园项目(一期)Ⅰ标段主体工程完工,预计今年6月份有望实现全面投产。

图片来源:长沙晚报

据悉,该栋厂房占地面积为2.32万平方米,建筑面积5.23万平方米,钢构大屋面面积1.65万平米。

此前,湖南三安半导体项目(一期)Ⅰ标段已相继完成M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房和溅镀厂房位主体结构封顶。

据了解,湖南三安半导体项目总占地面积1000亩,总投资160亿元,项目分两期建设,主要包含具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地的建设。

该项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模,并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。(来源:长沙晚报、LEDinside整理)

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