新发现:垂直集成氮化镓LED助力发展Micro LED显示器

美国罗彻斯特理工学院(Rochester Institute of Technology)的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓LED结构,有助于提高Micro LED显示器的效率。

罗彻斯特理工学院的马修(Matthew Hartensveld)和张敬(音译,Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter期刊上发表了一项研究,描述了他们将纳米线氮化镓场效电晶体(field-effect transistors简称“FETs”)和氮化铟镓LED集成在一起的方法。在这个有创意的新结构中,电晶体被放置在LED下面以实现控制和调光。

来源:罗彻斯特理工学院Hartensveld和Zhang

据悉,研究员通过结合电晶体和LED,创造出一个紧凑的结构,且制造过程简易。在改善Micro LED显示器发展方面,这个新设计的结构是一个性价比更高的选择。

研究表明,新结构中,一个区域可放置更多的LED,因此,像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸变小,像素密度变大,这对于发展Micro LED显示器有很大的帮助。

但是,目前垂直设计的局限性在于关闭LED需要一个负电压,对此,研究者正在努力改进中。(编译:LEDinside Janice)

 

 

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