日本Nitride投设子公司,研发高效率Micro UV-LED芯片

昨(1)日,日本UV LED制造商Nitride Semiconductors宣布投资1亿日元(折合人民币约614万元)设立全资子公司Micro Nitride。该子公司将专注于研发、制造和销售用于Micro LED显示器的Micro UV LED芯片,2018年11月1日起开始运营。

据悉,目前有两大制造Micro LED显示屏的主流方法。其一是采用红绿蓝光的三基色LED;其二是通过蓝光LED激发红绿荧光粉搭配蓝光LED实现全彩化。

三基色LED方法中,由于其材料易碎,无法制造出μ红色芯片,高密度、具有不同结构和不同颜色的LED芯片安装难度也很大。同时,它们的电流、电压及反应速度都不同,因此难以实现对每个芯片的控制。

而μBlue LED激发方法则可以将所有安装好的LED芯片集成到μ蓝光LED中,降低了安装难度,电源和电压也能够实现统一。但是,蓝光是主动发光,而红光和绿光是通过激发产生,所以会出现反应速度的时间滞后问题。另外,蓝光激发导致红光和绿光亮度低,因此颜色再现性较差。

(图片来源:Nitride官网)

值得注意的是,Nitride Semiconductors采用μUV-LED +RGB荧光粉,解决了这个问题。该公司发现制造具备N层和P层超线性结构(SLS)的μUV-LED芯片,发光效率提高了一倍(专利申请中)。这主要是由于扩散电流的距离短,发光复合率提高,内部量子效率提升,发光层到外部的距离变短,进而外部量子效率得到提高。

(图片来源:Nitride官网)

 

 

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