晶电LED灯泡采用硅基氮化镓技术 电源模组缩75%

LED外延大厂晶电发表最新技术,概念灯泡的电源模组采用硅基氮化镓(GaN-on-Si,在硅基板上生长氮化镓)功率半导体,可将电源模组体积大幅缩小75%。如果量产成功,晶电将从LED领域跨足功率半导体,拉出市场新战线。初期这项技术用于晶电自家LED灯泡,未来可望延伸至手机、笔电、甚至冰箱、洗衣机等的电源。

全球都在开发功率半导体的新材料,近年较热门的是GaN-on-Si。包括美国麻省理工学院、韩国三星、日本东芝都在积极研发。晶电是全球LED外延龙头,原本就擅长在蓝宝石基板上生长GaN的技术(主要用于LED照明和背光领域),因此若要研发在硅基板上生长GaN,相对具有优势。

功率半导体的应用分为两大块,一是通讯微波的功率放大,一是电源管理,后者市场相当庞大,小从LED灯泡内的电源模组,大到手机、笔电、家电甚至电动车的电源。

在上周的2015 LED Taiwan展览中,晶电研发副总谢明勋发表一款新的概念灯泡,其中的电源模组,就是采用GaN-on-Si技术,成功将电源模组的体积减少了75%。谢明勋表示,目前电源管理使用的功率半导体,多采用硅晶圆,改用GaN-on-Si的好处是能源效率更好、可容许更大电压、体积大幅缩小。

日本大厂东芝(Toshiba)在三月初的东京照明展也发表类似技术,在LED灯泡中采用GaN-on-Si技术,不过仅限于功率半导体的单一元件,体积减少4成。相形之下,晶电的技术是用于整颗电源功率模组,体积大减75%。

业界人士分析,这项技术还在萌芽阶段,一旦成功,等于发现市场新大陆,晶电将可从传统LED跨足功率半导体市场。(责编:Nicole)

 


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