南韩最新开发技术:青色LED发光效率增加30%

日前,韩国教育科学技术部表示,由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色LED的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。

此次开发的技术与原有的LED相比,不会低减电器的特征,依靠锌氧粉纳米杆的光导波路现象,增加30%以上的发光效率。光州科技院的郑建永教授表示:“此次研究结果从材料费或工程费侧面比较简单地将光导波管作用的锌氧粉(ZnO)杆在低温下,不会为LED电极构造带来影响的同时使之生长,是将发光效率跨越性提高的源泉技术,今后的研究等与纳米技术融合的话,2015年的1,100亿美金的利益效果与世界LED照明市场的先占将成为可能”。

【版权声明】
「LEDinside - LED在线」所刊原创内容之著作权属于「LEDinside - LED在线」网站所有,未经本站之同意或授权,任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部,亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。
【免责声明】
1、「LEDinside - LED在线」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释,该公开资料,属可靠之来源搜集,但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务,改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「LEDinside - LED在线」上出现的信息(包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等),力求但不保证数据的准确性,均只作为参考,您须对您自主决定的行为负责。如有错漏,请以各公司官方网站公布为准。