近日，美国Rensselaer Polytechnic Institute大学在与韩国Electro-Mechanics公司的共同努力下，发表了一项新的研究成果。该研究成果可提升发光功率18%，光电转换效率22%，该技术显着减低了「效率降低」问题。
根据研究人员的发现，极化失配可以通过引入新的量子阱而显着降低。他们将LED活性区的GaInN/GaN层替换为GaInN/GaInN，使得活性区缓冲层具有更好的极化匹配，从而有效降低了电子漏和效率降低。在CES 2009消费电子展上可以看到，LED作为液晶电视的背光源已经得到了较为广泛的应用。如果这一技术得以应用，将进一步提升LED背光液晶电视的能效，降低能耗。
