Cree将无微管SiC 衬底做到4英吋的长度

美国LED大厂Cree日前宣佈,旗下的材料事业已经成功地将无微管(ZMP) 的SiC衬底尺寸做到4英吋,约合10公分的长度,将有助于n-type型态的发展,也对氮化鎵(GaN)与碳化硅(SiC)产品长期的效能表现有帮助。不过Cree认为,在2008年底之前,该项技术还不会进入全面商业化的阶段。

Cree材料事业副总裁Cengiz Balkas强调,儘管这项新的科技打造出的高品质材料是Cree公司策略重要的环节,但目前现有的4英吋SiC外延片就已经充分满足目前的应用。他认为,目前客户对现有产品效能的需求良好,倘若他们需要无微管(ZMP)产品,该公司就会开始进行生产。

他表示,n-type型态的材料是以SiC为基础产品的重要发展,预期初步应用将会是SiC-Schottky管的应用方面。

现阶段SiC是GaN 芯片生长时的衬底,但在生长时会含有结晶的微管,而使得外延片打造出的产品表现降低,并减少可用的外延片面积。

Cree先前能够提供3英吋的无微管(ZMP)外延片,但如果是生产4英吋的ZMP外延片,最终将进入量产阶段,使得外延片产出倍增。而为了维持晶体的品质,又要把微管消除,该公司尽了很大的心力。

目前美国陆军(US Army)与美国国防远景研究规划局(DARPA)协助发展了ZMP,Cree与美国军事单位的合作进一步发展出更好的产品,也为下一代的SiC衬底技术奠定基础。

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