芯元基实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示

1月10日,上海芯元基宣布在Micro LED微显示屏方面又取得新突破,成功攻克了像素间距 7.5μm芯片阵列键合工艺,实现了0.39英寸    单色Micro LED微显示屏视频显示。

据介绍,本次制作出的显示模组,像素间距为7.5μm、分辨率为1024*768、显示面积为0.39英寸,CMOS驱动芯片由北京数字光芯集成电路设计有限公司提供,模组光电参数和显示效果佳。

资料显示,芯元基成立于2014年,是一家基于第三代半导体氮化镓(GaN)材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司,产品主要应用于工业固化、AR/VR、智能手表、电视、户外显示和特殊照明等领域。

据悉,芯元基在2021年10月份正式进入Micro LED领域,2022年1月份,先后研发出了16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片以及适合微显示的pitch 8μm Micro LED芯片阵列。

2022年7月27日,芯元基突破像素pitch小于4μm的关键工艺,成功点亮0.12 inch 、pitch 3.75μm的适合AR眼镜显示用的Micro LED芯片阵列。
同年8月29日,芯元基成功点亮InGaN基红光适合微显示的pitch 8μm Micro LED芯片阵列。至此,芯元基完成微显示芯片全彩化方案所需的GRB三种单色光源,且全部是基于InGaN的材料体系。

同年10月13日,芯元基利用现有OLED驱动技术,成功实现了0.41 inch 单色Micro LED微显示屏视频显示。

值得一提的是,芯元基在不断突破Micro LED微显示技术的同时,还加速第三代半导体氮化镓项目的建设。

 2020年11月20日,芯元基第三代半导体氮化镓项目签约安徽池州高新区起,项目规划用地约100亩,分两期建设。其中,一期投资2亿元,打造一条GaN基DPSS衬底生产线,一条UVA 365nm芯片生产线,并建设配套设施等;二期投资4亿元,建设行政、生产一体化厂房及配套。

凭借在Micro LED等领域的优势,芯元基备获资本青睐。目前,芯元基已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。(LEDinside Mia整理)

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