广州国际显示技术研讨会:MicroLED显示技术 & QLED

在2018国际显示技术会议(ICDT 2018)上,台湾地区厂商錼创 (Playnitride)展出Micro LED显示器,令在场参观者惊艳,共分白光、绿色以及全彩3种色彩显示。其中0.89’’显示器应用于手表上,ppi约为169,并使用蓝色LED芯片+Phosphor色彩化方案。另外还有0.8’’显示器, ppi提高至230,搭配绿色LED芯片的单色方案。最后还展出全彩0.89’’显示器,使用RGB LED的芯片组合,约103 ppi。錼创期望未来持续提升技术,以朝向Micro LED显示器商业化的路迈进。

另对于背板驱动专精的厂商和莲光电(Jasper Display),展出以Silicon为背板的Micro LED显示器,目前显示技术已发展至0.7’’,显示尺寸可达4K分辨率,虽为单色显示但Pixel Size最小却能达到3.74μm,具备高显示效果。

Leti公司的Francois Templier提到,Micro LED应用在AR VR等穿戴使用的显示器上,需满足高分辨率与显示面积小的高需求,因此LED芯片尺寸以及LED Pitch上将更加微缩。传统Flip Chip Bumping最大极限约在15μm,若是在Wafer上,分别在GaN Array上制作Micro Tube,在与基板bonding时,Micro Tube将直接插入接触所对应的连接Pad,无需如锡球Bonding时,LED间距需预留距离避免金属溢流短路,因此Micro Tube的应用将缩短LED bonding pitch。目前Leti已将此技术应用在单色显示器上,Pixel Pitch约10μm,分辨率873 x 500 Pixels。

刘纪美教授指出Micro LED未来随着LED芯片越来越小,除了转移上的技术外,在LED的芯片制造质量上也需要稳定与成熟,才能提高产能,降低生产成本。在电路设计上,将尽可能以成熟的集成电路设计为主,方能寻找到最适合Micro LED驱动的方案。

目前刘纪美教授研发的Micro Display最小可达0.19’’,1700 ppi,为单色显示方案。LED微型化量子点的应用将不会缺席,因此刘教授的团队也运用了量子点的技术达成全彩化,目前是采用喷墨印刷的方式将RGB 量子点均匀涂布于Micro Display上,显示器约3.6mm(L) x 3.6mm(W),分辨率约40 x 40 pixels。

三安光电徐宸科副总指出Micro LED相较于其他显示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED,都有较高的评价,其中对比应用较广的OLED显示应用,Micro LED在亮度及信赖性上都更胜一筹外,又可以搭配软性基板达成可弯曲的特性,因此三安光电看好Micro LED发展后势且积极发展。

目前三安光电已可组成RGB全彩Micro LED显示器,其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)预估依序为18%、30%、60%,未来仍持续提升。另徐宸科副总提到三安光电也可依客户的需求提供芯片转移、Bonding等方案,并搭配水平或垂直式电极LED芯片等技术服务。其中水平式电极的Flip Chip的芯片尺寸约可达30~100μm,垂直式电极芯片约可达10~100μm。

上海大学的杨绪勇教授指出,QD应用在LED上的发展目前受限于价格以及寿命。而QD的材料价格不便宜,因此相关的应用易转嫁到消费者身上,从而降低市场竞争力。此外,寿命约在100~1000小时不等,因此杨绪勇教授尝试在QD加入了金属氧化物薄膜,以增加QD的稳定性进而增加其寿命。改善后测试,寿命可达16000小时(@100 nits),将有助于未来QD应用在LED上更迈进一步。(文:LEDinside Max)

 

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