美国国家半导体推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

高度集成的半桥栅极驱动器提高了高压应用的功率密度和效率
 
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corp.)(NSM)今天宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱动器,与使用分立驱动器的设计相比,其可减少75%的组件数量,并还能缩小多达85%的印刷电路板(PCB)面积。

 
砖式电源模块和通信基础设施设备的设计人员需要以最小的外形尺寸实现更高的功效。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。美国国家半导体的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。
 
为了满足增强型GaN FET严格的栅极驱动要求,我们需要多个分立器件和大量的电路以及PCB设计工作。美国国家半导体的LM5113完全集成的增强型GaN FET驱动器大大减少了电路的数量和PCB的设计工作,并实现了业界最佳的功率密度和效率。
 
宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation)的创始人之一兼首席执行官Alex Lidow表示:“美国国家半导体的LM5113桥式驱动器有助于设计人员通过简化设计来发挥eGaN FETs的性能。LM5113大大减少了元件数量,与我们的eGaN FETs配合使用,可以大幅缩小PCB面积,实现更高的功率密度水平,而基于等效MOSFET的设计是做不到这一点的。”
 
LM5113桥式驱动器的技术特点

美国国家半导体的LM5113是一款针对增强型GaN FET的100V桥式驱动器。该器件采用专有技术,可将高边浮动自举电容电压调节到大约5.25V,以优化驱动增强型GaN功率FET,而不会超过最高栅-源额定电压。LM5113还具有独立的汇/源输出,可实现灵活的导通强度和关断强度。0.5欧姆的低阻抗下拉路径为低阈值电压增强型GaN功率FET提供了一种快速、可靠的关断机制,有助于最大限度地提高高频电源设计的效率。LM5113集成了一个高边自举二极管,进一步缩小了PCB面积。LM5113还为高边和低边驱动器提供了独立的逻辑输入,从而可以灵活运用于各种隔离式和非隔离式电源拓扑结构。
 
封装、价格及供货情况

美国国家半导体的LM5113采用10引脚4mm × 4mm LLP封装。采购均以1,000颗为单位,单颗售价为1.65美元。现已可提供样品,并将于九月份量产。

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