元旭半导体：Micro LED光互连芯片带宽达3.5GHz

近日，元旭半导体在Micro LED领域接连取得进展。一方面，公司联合清华大学、北京星火辰光推进光互连芯片研发，样品-3dB带宽达到3.5GHz；另一方面，天马研究院到访元旭半导体，双方围绕Micro LED芯片、MOG/MIP封装及COG技术展开交流。

元旭半导体取得Micro LED光互连芯片研发新进展

9月28日，元旭半导体宣布，公司近日联合清华大学、北京星火辰光科技有限公司（以下简称“星火辰光”），在Micro LED光互连芯片研发方面取得阶段性进展。

经清华大学、星火辰光联合测试，Micro LED芯片样品在500 A/cm2电流密度下，-3dB带宽达到3.5GHz。-3dB带宽是衡量发光器件高速响应能力的重要指标。

测试结果显示，在所采用的测试条件下，联合研发的Micro LED芯片样品具备>3GHz级响应能力，为后续驱动电路、接收端和光学耦合的匹配设计提供了实测依据。

此次合作中，元旭半导体主要开展Micro LED芯片工艺、巨量转移及玻璃基集成光电封装等研发，清华大学、星火辰光则围绕Micro LED外延、高速芯片设计等方向展开研究。三方结合外延优化、芯片制备、光电集成封装及测试等环节，推进相关技术验证。

元旭半导体以Micro LED芯片和光电集成封装为基础，并将MOG（Micro LED on Glass）玻璃基集成平台的相关技术积累拓展至AI应用，研发范围进一步延伸至器件阵列及光电集成。

下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成及封装互连等方向继续研发，并联合合作伙伴开展驱动、接收及光学耦合等环节的适配，通过链路测试进一步验证通信性能，推动芯片级成果向应用产品开发延伸。

元旭半导体与天马研究院探讨Micro LED技术合作

在Micro LED芯片及封装技术持续推进的同时，元旭半导体也在拓展与面板厂商的技术合作。

9月22日，天马研究院研发、采购及LED芯片相关负责人一行到访元旭半导体，双方围绕Micro LED芯片、MOG/MIP封装及COG（Chip on Glass）技术展开交流，并重点探讨MOG芯片适配TFT驱动的技术路径及供应链合作模式。

据元旭半导体介绍，公司采用IDM模式，业务覆盖Micro LED芯片、封装及模组等环节。此次交流中，双方就MOG与TFT玻璃基板的协同开发进行讨论，并计划进一步推进相关技术验证及产品开发。

今年以来，元旭半导体持续推进Micro LED产业化布局。8月，公司披露天津超级工厂已于2025年3月投产，2026年上半年产值同比翻倍，在手订单达2亿元，并计划进一步扩大COB产线规模。此外，7月，元旭半导体与天开孚莱感知开展战略合作，围绕微纳光电阵列巨量并行测试技术进行联合研发，并将相关技术拓展至AI短距光互连领域。

在Micro LED领域，天马今年也有多项进展。1月，天马厦门Micro LED试验线项目完成竣工验收，该项目总投资约11亿元，覆盖巨量转移、检测修补、封装及模组等全制程环节。2月，天马研究院又点亮12英寸Micro LED高亮车载显示屏，采用TFT背板驱动，峰值亮度超过50,000 nits，主要面向车载HUD等应用。

天马半年报进一步披露，截至2026年上半年，公司合资投建的全制程Micro LED产线已实现全线贯通，并在PID、车载等应用领域实现产品交付；公司同时表示，Micro LED业务已实现部分产品小批量出货。（LEDinside整理）

转载请标注来源！更多LED资讯敬请关注官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LEDinside)。