研微半导体完成近15亿元B轮融资，京东方等产业资本入股

8月27日，研微（江苏）半导体科技有限公司（以下简称“研微半导体”）宣布完成B轮融资，融资总额近15亿元。本轮融资中，中电科产业基金、中车资本、京东方等相关产业方战略入股；中金资本、沃衍资本、等机构参与投资，锡高投等老股东持续追加投资。

作为一家成立于2022年的高端半导体设备企业，研微半导体总部位于江苏无锡高新区，主要从事薄膜沉积、外延及刻蚀设备的研发、生产与销售。

公司核心技术覆盖热原子层沉积（Thermal ALD）、等离子体增强原子层沉积（PEALD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、硅锗外延（EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）以及原子层刻蚀（ALE）等工艺。

目前，研微半导体已形成覆盖晶圆制造、先进封装及特色工艺的产品体系。其中，Spritz、Fluxus系列热ALD设备，Auratus系列PEALD设备以及Auroalis系列PECVD设备主要面向高端芯片制造及薄膜沉积工艺；Perfectus-R、Perfectus-A系列覆盖硅锗外延等工艺，Torridus系列则面向碳化硅外延，Elegito系列用于选择性刻蚀。

公司产品覆盖逻辑芯片、DRAM、NAND、功率器件、射频元件及先进封装等领域。其中，先进封装相关设备可应用于晶圆级封装、扇出型封装、2.5D/3D封装等工艺。

除芯片制造及先进封装外，研微半导体部分设备与硅光等方向也存在技术关联。

公司Perfectus-R减压外延设备主要用于SiGe/Si或SiP/Si异质外延生长。其市场应用包括高端芯片所需的NMOS、PMOS、Channel Si、Channel SiGe及纯Ge等工艺。纯Ge外延是硅光器件制造涉及的相关工艺之一，因此该类外延设备也具备向硅光领域延伸的技术基础。

值得注意的是，研微半导体今年融资节奏明显加快。今年2月，公司完成近7亿元A轮融资，新引入高瓴资本、金石投资、中证投资等机构，募集资金主要用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容。（集邦光通信整理）

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