昨（10）日晚间，国星光电发布公告宣布取得了11项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro LED，1项涉及第三代半导体。
公告显示，国星光电于近日收到11项发明专利证书，其中中国国家知识产权局颁发的发明专利证书8项、美国发明专利证书3项，具体情况如下：
从专利涉及的领域来看，11项专利中，4项涉及Mini LED技术领域，2项涉及Micro LED技术领域，第三代半导体、景观亮化、车用LED、指示器件、户外LED等技术领域各1项。
据国星光电介绍，涉及Mini/Micro LED技术领域的6项专利，其技术方案涉及封装胶工艺改善、线路板检测点设置、超高清显示模组结构设置、芯片精准转移等方面，通过以上技术方案可以提高超高清显示产品的集成度，优化及简化线路结构设计，提升制程及封装良率，形成成熟的封装技术路线，确保显示效果的一致性，提高产品的质量。
第三代半导体领域发明专利名称为“一种集成模块及功率器件”，该集成模块以器件组为最基本单元，可应用至半桥逆变式功率转换电路或全桥逆变功率转换电路中，具有良好的通用性，同时叠层设置能有效降低回路电流的路径，降低模块的寄生电感，提升集成模块使用场景。
近几年来，国星光电调整发展战略，将重心聚焦于Mini/Micro LED超高清显示领域，并加速布局第三代半导体等前瞻领域赛道，优化产业布局、升级产品结构，通过持续的技术创新，形成了多项自主知识产权，也持续推出了多款创新产品。
在此之前，国星光电去年4月也取得多项专利证书，其中6项涉及Mini/Micro LED技术，3项涉及第三代半导体技术。而此次取得的专利证书，过半涉及Mini/Micro LED及第三代半导体，由此可见国星光电在这些新兴领域的布局取得了进展，知识产权布局进一步完善。
国星光电表示，这些专利的获得将对其工艺改进、产品创新、市场及品牌影响力提升等方面产生积极的影响，有助于国星光电增强在这些领域的核心竞争力。（LEDinside整理）
