2019年4月，三安光电在湖北葛店经开区确立III-V族化合物半导体项目，总投资120亿元，主要产品是Mini/Micro LED外延和芯片产品。同年7月，该项目正式开工，预计2021年3月投产见效。
据湖北日报昨（10）日报道，今年2月初，湖北三安Mini/Micro LED外延与芯片产业化项目一期主体建筑成功封顶，并将于三月底如期投产。
湖北三安项目用地约756亩，总建筑面积47.77万平方米。项目计划建设研发生产基地，生产Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/ Micro led砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列。
按照规划，氮化镓芯片系列年产161万片（其中蓝光 Mini LED 72万片/年；蓝光Micro LED 9万片/年；绿光Mini LED 72万片/年；绿光 Micro LED 8万片/年)、砷化镓芯片系列年产75万片（其中红光Mini LED 66万片/年；红光Micro LED 9万片/年)、4K显示屏用封装产品年产84000台。
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目前，一期配套的1号仓库、配餐食堂、综合动力站的装修工作已经进入尾声，部分设备已进场安装调试。2月底，生活区的3栋员工宿舍开始逐步进家具，并且正在招募员工，项目预计将提供超过3000个工作岗位。
据湖北三安光电总经理李水清介绍，随着一期项目顺利且如期进行，二期项目建设也已提前启动，时间至少提前半年。
湖北三安项目是国内首个大规模微发光二极管项目，项目的进展一直备受业界关注，尤其是当前新型显示产能相对不足，业内相关大项目的建设进度或多或少都会对产业产生影响。
从产业规模的角度来看，湖北三安一期项目投产见效后，国内Mini/Micro LED外延和芯片等新型显示产能将进一步提升。从终端应用的角度来看，湖北三安芯片产品将能够逐渐满足三星、TCL等高端显示应用产品的需求。（LEDinside Janice整理）
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