中科潞安深紫外LED一期项目预计8月全部竣工验收

据了解,中科潞安深紫外LED项目项目位于长治高新区漳泽新型工业园区,项目分两期建设,总投资约20亿元。

其中,一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元。2019年5月,深紫外LED项目一期建设年产3000万颗深紫外LED芯片生产线正式投产。

二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。项目建成后,将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区。

近日,潞安集团官方消息显示,长治中科潞安深紫外LED项目生产车间生产出来的芯片销往广东、江苏等地区,用于制作深紫外医疗产品和消毒杀菌产品。自2月初复工复产以来,企业实现了满负荷生产,月产能达到200多万颗。

中科潞安紫外光电科技有限公司表示,相较于波长更长的浅紫外产品,中科潞安的深紫外产品在杀菌消毒、空气净化、水处理等领域具有更大的优势。目前公司在深紫外领域有10*18、20*20两款产品。

此外,公司拥有深紫外LED生产设备和外延工艺完整的自主知识产权,已获得发明专利和实用新型专利共17项、软件著作权7项,并具有多项优势技术储备。

目前,中科潞安深紫外项目已经形成年产3000万颗的生产能力,年产3亿颗紫外芯片的二期工程正在加快推进中。中科潞安紫外光电公司负责人表示,预计2020年8月底完成车间二楼封装中试线建设,一期3000万颗芯片生产线项目全部竣工验收,同时开展二期3亿颗项目的前期准备,争取下半年开工建设。(来源:潞安集团;LEDinside整理)

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