法国Leti开发基于CMOS的Micro LED显示屏生产新工艺

据报道,法国研究机构Leti of CEA Tech研发出一个生产高性能氮化镓Micro LED显示屏的新工艺。相比现有方法,这项新工艺更简单且更高效。

新工艺的第一步是将Micro LED芯片直接转移到CMOS晶圆上。第二步是把由CMOS驱动电路和Micro LED芯片组成的每个完整像素点转移到显示基板上。

研究员指出,CMOS驱动器具备高性能,可以制造更多种类的Micro LED显示屏,从小尺寸可穿戴显示器到大尺寸电视面板都能实现。

据称,单个LED-CMOS单元是通过全半导体和晶圆级方法制造的,最终制成的显示器不需要使用TFT(薄膜晶体管),这也是新工艺技术的另一个优点。

目前,如何提高驱动电子的性能是制造Micro LED的一个挑战,这需要更多功率来实现更加明亮的图像,以及更快的速度来应对不断增长的高显示分辨率需求。

CEA-Leti研发的新工艺能够通过简化的转移工艺来制造基于CMOS的高性能氮化镓Micro LED显示器,无需TFT背板。RGB Micro LED直接堆叠在微CMOS电路上,然后每个单元被转移至简单的接收基板上。最后,在单个半导体线上完成RGB Micro LED和背板的制造。

CEA-Leti光学器件战略营销经理Fran?ois Templier表示,这项基于CMOS的工艺能够生产出更高亮度和更高分辨率的Micro LED显示器,可改变大型电视制造领域的“游戏规则”。

据悉,5月14日,CEA-Leti在2019显示周上展示了这项突破性技术。(编译:LEDinside Janice)

 

 

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