国星光电“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”项目获拨中国国家专项经费

国星光电(002449)于近日收到国科发财(2011)129号《关于下达2011年度国家高技术研究发展计划第一批课题经费预算的通知》,现将有关情况公告如下:

1、按照科技部、财政部对国家高技术研究发展计划(863计划)专项经费的总体安排,由南昌大学牵头、国星光电等单位共同承担的国家863计划项目“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”,获得专项经费预算5,565万元,本次核拨专项经费3,339万元,其中国星光电经费分配比例为7.5%。公司已于近日收到专项经费250.43万元,该笔款项将专用于“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”。

2、按照科技部、财政部对国家高技术研究发展计划(863计划)专项经费的总体安排,由扬州中科半导体照明有限公司牵头、国星光电等单位共同承担的国家863计划项目“基于垂直结构的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”,获得专项经费预算1,383万元,本次核拨专项经费830万元,其中国星光电经费分配比例为12%。公司已于近日收到专项经费99.6万元,该笔款项将专用于“基于垂直结构的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”。

本次收到的专项经费公司将根据《企业会计准则》的规定,计入“递延收益”科目,对公司当期损益不会产生重大影响。

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