晶湛半导体MicroLED光通信技术取得新突破

6月16日，晶湛半导体宣布Micro LED光通信技术取得新突破，公司开发的8-12英寸Si基GaN Micro LED光源产品，取得了电流密度500 A/cm2下的1.6 GHz带宽的标杆级实测成果，Micro LED光源功耗可低于1 pJ/bit。

据介绍，晶湛半导体从外延材料端着手优化，通过设计制备高质量GaN基多量子阱（MQW）外延结构，有效抑制量子限制斯塔克效应（QCSE）、提升载流子复合速率，同时精细化调整 Micro LED器件结构，缩小有源区面积以降低器件电容、改善RC时延问题。

在晶湛半导体与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙课题组合作中，测得500 A/cm2的超低电流注入条件下实现1.6 GHz的-3dB截止频率，器件功耗低于1 pJ/bit。

图1：左)晶湛半导体Micro LED带宽实测S21曲线；右)Micro LED光源带宽bench mark

晶湛半导体基于自主研发的8英寸、12英寸硅基GaN外延技术，并结合晶圆对晶圆（W2W）、芯片对晶圆（D2W）键合工艺，实现了Micro LED光通信器件性能优化。

相关技术可与现有高速存储及通信系统架构兼容，面向数据中心短距离高速互连应用需求。凭借低功耗、低散热及抗电磁干扰等特点，Micro LED光通信方案有望成为未来数据中心短距互连技术路线之一。

晶湛半导体成立于2012年，总部位于苏州工业园区，主要从事硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延材料研发与产业化，产品应用方向包括电力电子和微显示等领域。（来源：晶湛半导体）

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