- 1 鸿海研究院携手阳明交大
- 2 中科院长春光机所郭晓阳
- 3 LED光照技术助力水产养殖
- 4 电子科大在钙钛矿材料应
- 5 北京工业大学在高性能线
- 6 中国科大在钙钛矿半导体
- 7 科研团队在钙钛矿纳米晶
- 8 广东省科学院半导体研究
- 9 复旦科研团队研发基于全
- 10 北大高宇南课题组与合作
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)具有无汞污染、电压低、体积小、利于集成等诸多优势,在公共卫生、环境保护、生化检测、医疗、国防等领域具有广泛应用。但当前AlGaN基DUV LED的电光转换效率极低(通常<10%),严重制约AlGaN基DUV-LED的产业发展和市场应用。其中,高Al组分AlGaN缺陷、应变和量子限域调控困难是重要原因。
针对上述问题,广东省科学院半导体所先进材料平台利用MOCVD发展了一种低成本、高光效的深紫外发光结构生长方法。具体采用大倾角衬底生长400 nm厚的超薄AlN外延层,通过宏台阶诱导位错倾斜和相互作用,实现高晶体质量的同时,有效抑制残余应变;再利用宏台阶边缘和台面处Al原子和Ga原子并入效率的差异,在常规量子阱结构中引入高密度的量子线,有效提高辐射复合效率。最终,280 nm发光内量子效率达到70%,为实现低成本高光效深紫外发光器件奠定材料基础。
相关研究成果以“Efficient deep ultraviolet emission from self-organized AlGaN quantum wire array grown on ultrathin step-bunched AlN templates”为题发表于晶体学权威期刊《Crystal Growth & Design》,并被选为当期封面。何晨光博士为论文第一作者,陈志涛和赵维博士为论文通讯作者。
该研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省自然科学基金等项目的支持。(来源:广东省科学院半导体研究所)
转载请标注来源!更多LED资讯敬请关注官网(www.ledinside.cn)或搜索微信公众账号(LEDinside)。