芯元基实现Micro LED巨量转移技术突破

12月9日，芯元基宣布公司在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上，成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。

图片来源：芯元基

据悉，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。该公司于2021年10月正式进入Micro LED领域，发展至今取得不少突破。

2022年1月，芯元基全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列；7月27日，点亮0.12英寸 、pitch 3.75μm Micro LED芯片阵列；8月29日，点亮InGaN基红光Micro LED芯片阵列；10月13日，实现0.41英寸单色Micro LED微显示屏视频显示。

今年1月，芯元基实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示；5月16日， 成功开发出了矩阵车灯用的薄膜 Micro LED芯片；7月5日，实现了高良率、高效纯红光倒装结构和正装结构的量子点MiniLED芯片。

客户合作方面，去年7月，芯元基宣布与多家头部厂家合作开发Micro LED显示的巨量键合工艺，公司的Chip on Carrier产品和Chip on Stamp产品已经通过客户的研发样品测试，并取得头部厂家的相关采购订单；今年4月，芯元基宣布最新研制的弱化结构Micro LED芯片获得韩国客户小批量采购订单。

技术方面，芯元基已形成了以蓝宝石复合图形衬底技术（DPSS）、晶面辅助侧向外延生长技术、化学剥离蓝宝石衬底技术和晶圆级批量转移技术等为核心的技术体系，该技术的主要应用方向有高端的垂直结构薄膜LED芯片、电子功率器件及Micro LED。

项目建设方面，2020年11月，芯元基第三代半导体氮化镓项目签约安徽池州高新区，计划分两个阶段建设。第一阶段主要建设第三代半导体GaN基UVA及DPSS项目，总投资6亿元；第二阶段主要建设GaN基电子功率器件项目及Micro LED项目。

资本方面，芯元基目前已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。（LEDinside Mia整理）

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