Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性，满足AR/VR、智能手表、大屏电视等各种像素密度和各种尺寸显示的需求。随着LED芯片面积不断减小，单位面积晶圆利用率大幅提高，也意味着LED芯片成本不断下降。
经对比，单片4英寸晶圆可以生产约350K数量的0408（4mil*8mil）芯片，当芯片面积尺寸缩小至0204（2mil*4mil）时，同样的晶圆面积下大约可产出1400K数量的芯片，这使得单个芯片成本下降60%以上。
Micro LED凭借多项优势特点，迎来蓬勃的发展，但如何让技术实现成果转化，在市场上占有一席之地，关键还在于如何平衡产品性能与成本的关系。为更好地发展Micro LED，国星光电今（6）日宣布，推出新型MIP（Micro LED in Package）封装器件方案。
据介绍，新型MIP封装器件方案基于扇出封装技术思路，国星光电通过自主开发的巨量转移方法，采用黑化基板与高光提取封装路线构筑全新MIP器件，大幅提高器件光电性能，通过将引脚电极放大，使其匹配当前机台设备，具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性强、可混BIN提高显示一致性等优点。
国星光电MIP封装架构的实现流程
国星光电介绍，MIP显示模组一致性高，黑占比超99％，采用特殊光学设计，水平视角≥174°，兼容性强，可兼容当前设备机台，可完成测试分选、易检测修复，更易将Micro LED应用于终端市场。
MIP显示模组外观图
国星光电表示，公司始终坚持创新驱动战略，瞄准行业趋势，深耕技术产品，如今，5G+4K/8K浪潮迭起，新型显示极速发展，公司定将紧抓机遇，乘着“十四五”规划和粤港澳大湾区腾飞发展，大力发展以Mini/Micro LED等为代表的新型显示技术。（来源：国星光电）
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