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据外媒报道,由武汉大学周圣军教授带领的研究团队在蓝宝石衬底上开发了高效GaN基绿光LED。研究团队建议采用由溅射AIN(Sputtered AlN)及中温GaN器件组成的混合成核层(Hybrid Nucleation Layer),以提高GaN基绿光LED的量子效率。
图片来源:武汉大学
目前,在完全可见光范围内开发高效III族氮化物发射器极具吸引力,而多种色彩III族氮化物发射器的融合可实现高效、精准的混合光谱管理,从而制造出高分辨率的显示器和各种智能照明应用,但目前主要的障碍是III族氮化物发射器在绿色到黄褐色光谱区域的效率不佳。
为此,武汉大学研究者采用新型混合成核层,在蓝宝石衬底上制造高效InGaN/GaN绿光LED。在生产过程中,混合成核层及GaN表面会生成一个层错带结构(Stacking Fault Structure),有助于实现热错配应力补偿(Misfit Stress Compensation)。
得益于最开始的热错配应力缓和,错位密度(Disloaction Density)和绿光LED中的残余应力(Residual Stress)有所降低。因此,在大规模量产过程中,研究团队将效率提升了约16%。
武汉大学研究团队表示,对于在绿色到黄褐色区域实现高效的III族氮化物发射器,混合成核层的应用前景十分可期。(LEDinside Janice编译)
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