功率型LED灯的研发是市场关注的焦点，超高亮度InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光LED零件的研制成功与迅速发展，为功率型LED零件的开发奠定了基础。在未来的产业化发展之路中，功率型LED将具备良好的市场前景。
一、金属有机化合物汽相淀积（MOCVD）
使用业界常见的金属有机化合物汽相淀积的外延生长技术，以及多量子井架构来扩大LED芯片面积，从而加大芯片的工作电流，提高芯片的整体功率。从目前单芯片1瓦、3瓦和5瓦的大功率LED向功率高至10瓦，具有更高发光效率、经济实用的固态LED照明光源迈进。
二、芯片键合（Water Bonding）
目前使用芯片键合的A1GaInP（TS）取代吸光的GaAs衬底（AS）的倒梯形架构的功率型大面积芯片，工作电流可达500毫安培（mA），光通量超过60流明（lm），以脉冲方式工作时，则可达140流明（lm）。此用InGaAIP（AS）材质表面架构的新一代功率型LED芯片，可以获得大于5成的外量子效率，其基本效能与TS架构的LED产品类似，可取代一般的方形芯片，而且还可以很容易按比例放大成为功率型的大大小芯片，因此在降低生产成本和实现产业化规模生产方面，材质表面高效取光架构的InGaAIP（AS）LED具有广阔的发展前景。
三、芯片架构
功率型LED所用的外延材料，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍乃是芯片的取光效率低，其原因是半导体与封装环氧的折射率相差较大，致使内部的全反射临界角很小。
现阶段，一般理念设计的超高亮度LED产品，并不能充分满足照明所需的亮度。为了提高LED的亮度，必须使用新的设计理念，用倒装焊新架构来提高芯片的发光效率。
四、生产工艺
1.金属有机化合物汽相淀积（MOCVD）
2.倒装焊接与芯片键合
3.材质表面架构与动态自适应粉涂布量控制。
五、产业化技术指标
1.芯片功率：1W、3W、5W、10W
2.产品成品率必须大于等于95％以上
六、未来发展动向
1.手电筒、矿灯、航标灯等均为大功率LED的重要应用范围。
2.车用市场将是白光LED的高成长领域，汽车内外部照明均会用到大功率ＬＥＤ。
3.手机、数位相机用的闪光灯，将会进一步提高高率LED的利用率。
4.路灯照明、灯饰、景观灯会慢慢地用高功率LED产品取代霓虹灯，被视为重要市场。
