LEDinside: 从众厂商布局看Micro LED发展趋势

根据集邦咨询LED研究中心(LEDinside)最新报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》,Micro LED技术发展早期以专利布局为主,以SONY、Cree及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构,直至2014年因APPLE收购LuxVue之后,进而带动其他业者加速发展Micro LED领域。另外,全世界不同区域厂商对于Micro LED布局也有不同的策略及发展。比如台厂以专业代工为主;韩厂以策略合作方式发展;日厂以集团内发展为主;欧美厂商多半以新创公司及学术机构布局于该领域;中国大陆厂商则发展较慢,多半处于研究与评估阶段。
 
Micro LED发展历程

Micro LED的发展,早期以专利布局为主,在2000年至2013年期间属于“萌芽期”,市场需求不明下仅有少数先驱者进行专利的布局,以SONY、Cree及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构, 2014年之后跃入“成长期”,主要原因是来自于APPLE收购LuxVue之后,并且展现出对于Micro LED显示技术的信心,进而带动其他业者及新创公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等,这两年来已经出现面板厂的专利布局,比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中,在众多Micro LED的专利申请中,前三大专利的技术为巨量转移技术、显示模组技术及芯片制程技术,合计占所有专利的80%。

Micro LED供应链与厂商布局分析

而这几年来国际大厂也纷纷加入Micro LED的技术开发,大多是以购并、成立公司内部新事业单位或新创公司的方式,来进行Micro LED的发展,这些公司以本身既有的专精领域来做垂直或横向的发展,大致可以分为LED磊晶、转移、面板及品牌等方面,在LED磊晶方面,主要以LED磊晶厂发展最适合,而巨量转移部份是技术门槛也是较多厂商投入的领域。中国大陆、中国台湾、韩国、日本及欧美的厂商对Micro LED布局程度也有所不同,比如:中国台湾厂商多半是以专业代工为主,包括友达光电,晶元光电,以及PlayNitride等公司,都与国际大厂进行深入的合作。

中国大陆厂商在Micro LED的发展脚步较慢。最主要原因中国大陆厂商偏好能够快入导入量产的技术。因此对于Micro LED技术多半处于研究与评估阶段。但部分厂商已经悄悄布局与投资。

韩国厂商在显示器领域的技术布局完整。但是由于韩国厂商的主要资源均集中于OLED产品上,因此对于Micro LED技术则是采取策略合作的方式来参与该技术的开发与研究。

日本厂商在Micro LED领域,以SONY最为领先,并且布局完整。但是由于日本厂商的供应链相对封闭,并且多半在集团内自制完成。因此其他的日本厂商主要是以设备商,或是材料商才有办法参与其中。而值得关注的是,日韩厂商由于本身在大尺寸的电视领域已占据主导地位,因此多半聚焦在大尺寸Micro LED显示器技术的开发。

欧美厂商多半以新创公司以及学术机构布局于该领域。近年来随系统大厂逐渐投入开发该技术,并且透过转投资与收购的方式进行专利布局在巨量转移的领域。至于面板领域,则是由于面板的投资金额过高,因此主要与亚洲的面板厂商进行合作开发。特别是欧美厂商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED显示应用,如手机、投影与穿戴装置,因此技术局领域多朝此方面发展。

2019年1月LEDinside针对于2019 Micro LED次世代显示关键技术进行分析。如需详细资料,欢迎来电或来信。谢谢您!

LEDinside 2019 Micro LED次世代显示关键技术报告
出刊时间:2019年01月31日
档案格式:PDF 
报告语系:繁体中文 /英文
页数: 213
季度更新:Micro / Mini LED市场观点分析 - 厂商动态、新技术导入、Display Week / Touch Taiwan展场直击(2019年3月、6月、9月;约计10-15页/季)



第一章 Micro LED定义与市场规模分析

Micro LED产品定义
Micro LED产值分析与预测
Micro LED产量分析与预测
Micro LED市场产量分析
Micro LED Display渗透率预测

第二章 Micro LED应用产品与技术发展趋势

Micro LED应用产品总览
Micro LED产品应用规格总览
Micro LED应用产品 - 头戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 - 头戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 - 头戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - 穿戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 - 穿戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 - 穿戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - 手持式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 - 手持式装置成本分析
Micro LED应用产品 - 手持式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - IT装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 - IT 显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 - IT装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - 车用显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 - 车用显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 - 车用显示器出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - 电视显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 - 电视显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 - 电视出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 - LED显示屏规格发展趋势
Micro LED应用产品 - LED显示屏装置成本分析
Micro LED应用产品 - LED显示屏出货量与时程表预估

第三章 Micro LED专利布局分析

2000-2018 Micro LED专利布局 - 历年专利家族分析
2000-2018 Micro LED专利布局 - 区域分析
2000-2018 Micro LED专利布局 - 技术分析
2000-2018 Micro LED专利布局 - 厂商分析
2001-2018 Micro LED专利布局 - 历年巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 - 专利技术总览
巨量转移技术 - 专利技术分类
2001-2018 Micro LED专利布局 - 巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 - 品牌厂商技术布局分析
巨量转移技术 - 新创公司与研究机构技术布局分析

第四章 Micro LED技术瓶颈与解决方案

Micro LED产业技术总览分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 - 制造流程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 - LED磊晶与芯片制程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 - 转移技术/黏接技术/驱动与背板技术

第五章 磊晶技术瓶颈与挑战分析

磊晶技术 - 解决方案
磊晶技术 - 磊晶架构与发光原理
磊晶技术 - 磊晶发光层材料与光效
磊晶技术 - 芯片微缩化的漏电问题造成光效降低
磊晶技术 - 设备技术分类
磊晶技术 - 设备技术比较
磊晶技术 - 外延片关键技术分类
磊晶技术 - 外延片关键技术分类 - 波长均一性
磊晶技术 - 外延片关键技术分类 - 磊晶缺陷控制
磊晶技术 - 外延片关键技术分类 - 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技术 - 适用性分析

第六章 芯片制程技术瓶颈与挑战分析

芯片制程技术 - LED芯片微缩的发展
芯片制程技术 - LED芯片生产流程
芯片制程技术 - 水平,覆晶与垂直芯片结构性之差异
芯片制程技术 - 微型化LED芯片(含蓝宝石基板)切割技术
芯片制程技术 - 微型化LED芯片(不含蓝宝石基板)切割技术
芯片制程技术 - 激光剥离基板技术
芯片制程技术 - 弱化结构与绝缘层
芯片制程技术 - 弱化结构设计
芯片制程技术 - 巨量转移头设计
芯片制程技术 - 传统LED与Micro LED芯片制程差异

第七章 巨量转移技术瓶颈与挑战分析

巨量转移技术 - 转移技术分类
巨量转移技术 - 薄膜转移技术分类
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 拾取放置技术流程
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 非选择性拾取技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 选择性拾取技术以提升晶圆利用率
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 修补应用上的选择性拾取技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 影响产能的因素
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 大型转移头尺寸提升产能的方案
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 转移头精准度要求更高
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 转移次数和晶圆利用率比较
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 转移运转周期与产能比较
巨量转移技术 - 薄膜转移技术:Apple (LuxVue)
静电吸附+相变化转移方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术:Samsung
芯片转移与翻转方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 凡得瓦力转印技术介绍
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:X-Celeprint
凡得瓦力转印方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:ITRI
电磁力转移方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍: Mikro Mesa
利用黏合力与反作用力转移技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:AUO
静电吸附力与反作用力方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:VueReal
Solid Printing技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:Rohinni
顶针对位转移技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 流体组装技术流程
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:eLux
流体装配方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:PlayNitride
流体分散转印技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 激光转移技术流程
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 激光转移技术分类
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:Sony
激光转移技术
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:QMAT
BAR转移方式
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:Uniqarta
多光束转移技术
巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量转移技术 - 薄膜转移技术 - 滚轴转写技术流程
巨量转移技术 - 薄膜转移技术介绍:KIMM
滚轴转写技术
巨量转移技术 - Micro LED巨量转移技术上面临七大挑战
巨量转移技术 - 转移制程良率取决于制程能力的控制
巨量转移技术 - 适用性分析

第八章 检测技术瓶颈与挑战分析

Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 - 检测技术流程
检测技术 - 检测方式
检测技术 - 电特性检测
检测技术 - 电致发光(EL)原理
检测技术 - 光特性检测
检测技术 - 光致发光(PL)原理
检测技术 - 巨量检测技术总览
巨量检测方式 - 光致发光检测技术
巨量检测方式 - 数码相机光电检测技术
巨量检测方式 - 接触式光电检测技术
巨量检测方式 - 非接触式光电检测技术
巨量检测方式 - 非接触式EL检测技术
巨量检测方式 - 紫外线照射光电检测技术
巨量检测技术差异性比较

第九章 维修技术瓶颈与挑战分析

Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 - 维修技术
Micro LED维修技术方案
维修技术方案 - 紫外线照射维修技术
Micro LED的坏点维修流程
维修技术方案 - 紫外线照射维修技术
坏点维修技术分析
维修技术方案 - 紫外线照射维修技术
转移头拾取之过程
维修技术方案 - 激光熔接维修技术
维修技术方案 - 选择性拾取维修技术
维修技术方案 - 选择性激光维修技术
维修技术方案 - 备援电路设计方案
Micro LED的主动缺陷侦测设计

第十章 全彩化技术瓶颈与挑战分析

全彩化技术解决方案种类
全彩化技术解决方案 - RGB芯片色彩化技术
全彩化技术解决方案 - RGB在相同晶圆上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技术解决方案 - 量子点的色转换技术
全彩化技术解决方案 - 量子点色转换技术与应用
全彩化技术解决方案 - 量子井的色转换技术
全彩化技术解决方案 - 总览
全彩化技术解决方案 - 适用性分析

第十一章 接合技术瓶颈与挑战分析

接合技术 - 技术分类
接合技术 - 表面黏著技术方案
接合技术 - 共晶波焊组装技术方案
接合技术 - 异方性导电胶(ACF)方案
接合技术 - 异方性导电胶水(SAP)方案
接合技术 - 晶圆结合技术(Wafer Bonding)方案
接合技术 - 晶圆接合 (Wafer Bonding) 困难度分析
接合技术 - Micro TUBE方案
接合技术 - 技术困难度分析
接合技术 - 适用性分析

第十二章 驱动技术瓶颈与挑战分析

驱动技术 - 驱动方案分类
驱动技术 - 驱动IC的重要性
驱动技术 - LED的伏安特性与光通量关系
驱动技术 - 开关电源控制技术分类
驱动技术 - 开关电源控制PWM与Duty Cycle的关系
驱动技术 - 显示屏驱动方案 - 主动式驱动与被动式驱动比较
驱动技术 - 显示屏驱动方案 - 扫描方式与画面更新率
驱动技术 - 显示屏驱动方案 - 小间距显示屏问题点分析
驱动技术 - TFT薄膜电晶体 - 液晶显示器之驱动架构
驱动技术 - TFT薄膜电晶体 - 主动式驱动 V.S 被动式驱动
驱动技术 - TFT薄膜电晶体 - 影响显示品质之干扰因素分析
驱动技术 - OLED驱动方案 - OLED的光电特性
驱动技术 - OLED驱动方案 - 被动式驱动
驱动技术 - OLED驱动方案 - 主动式驱动
驱动技术 - Micro LED驱动方案 - 被动式驱动
驱动技术 - Micro LED驱动方案 - 主动式驱动
OLED显示器 vs Micro LED显示器电源驱动模组差异性

第十三章 驱动技术瓶颈与挑战分析

背板技术 - 显示器背板的架构
背板技术 - 背板材料的分类
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板与画素开关元件运作原理
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板与画素开关元件特性
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板的尺寸发展
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板胀缩挑战
背板技术 - 整合式背板-玻璃基板搭配开关元件应用现况
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板画素开关元件架构
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板a-Si画素开关元件制程
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板IGZO画素开关元件制程
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板LTPS画素开关元件制程
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板画素开关元件解析度差异
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板画素开关元件功耗差异
背板技术 - 整合式背板 - 玻璃基板画素开关元件漏电性差异
背板技术 - 整合式背板 - 可挠式基板基板与画素开关元件特性
背板技术 - 整合式背板 - 可挠式基板制作流程
背板技术 - 整合式背板 - 可挠式基板材料特性
背板技术 - 整合式背板 - Silicon背板架构
背板技术 - 整合式背板 - Silicon背板制作流程
背板技术 - 整合式背板 - Silicon背板材料特性
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板外观架构
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板结构
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板基材热效应
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板基材差异性比较
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板制作挑战
背板技术 - 非整合式背板 - 印刷电路板尺寸限制
背板技术差异性比较
背板技术 - 适用性分析

第十四章 Micro LED供应链与厂商布局分析

全球Micro LED主要厂商供应链分析
区域厂商产品策略与开发动态分析 - 中国台湾厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 - 中国大陆厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 - 韩国厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 - 日本厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 - 欧美厂商

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