近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（CASAS）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》两项团体标准的起草与草案讨论（线上），助力加速第三代半导体国产化替代进程。
《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》两项团体标准提案由工业和信息化部电子第五研究所牵头，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，两项提案均立项通过[1]。
两项标准草案
《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案线上讨论会于5月26日、6月10日先后召开，国星光电研究院代表参加了标准的线上讨论并对标准修订提出了重要建议与意见。两次线上研讨会共计有三十多人（次）来自产学研不同领域的专家代表参与。
SiC（碳化硅）材料对比传统的Si（硅）材料，具备电性能和热性能优越、杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等特点，在产品设计时可以适配更大的功率密度，更小的产品体型。然SiC的材料性能与Si的材料性能相差甚大，传统Si的热阻及可靠性测试方式并不都适合SiC材料的器件产品。SiC器件的热阻测试与功率循环测试评估，对SiC MOSFET器件的可靠性与分析改进具备非常重要的意义。
近期，国星光电的TO系列产品已送至第三方有资质的机构，完成了相关工业级可靠性测试，SiC产品线进一步扩展，目前SiC-TO产品已开发完成5种封装大类的开发（TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6），建设6个系列化产品线：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、内绝缘型SiC-SBD/MOS 系列。
以SiC为代表的第三代半导体材料的开发与应用已写入“十四五规划”，国家在三代半领域事业正如火如荼地推进着。随着航天、航空、石油勘探、核能、汽车等电力电子领域的发展，尤其是新能源汽车的快速发展，在国产替代呼声高涨及政策的推动下，我国半导体市场持续不断地升温。国星光电也在大力布局“三代半封测”业务，积极持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化，望在国产替代的伟大宏图上贡献国星力量，为广晟集团奋进世界500强注入强劲动能。（来源：国星光电）
更多LED相关资讯，请点击LED网或关注微信公众账号（cnledw2013）
