中际旭创与高塔半导体深化合作，推进NPO产品开发

11月3日，高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布与中际旭创（Innolight）继续深化合作，共同推进面向AI基础设施的近封装光学（NPO）技术开发。此次合作将结合中际旭创在光互连领域的技术积累，以及高塔半导体200mm和300mm硅光子制造平台，推进多代NPO产品开发。

此次合作已取得阶段性进展。中际旭创首款采用高塔半导体PH18M硅光子工艺的NPO器件进入早期量产阶段，该工艺由高塔半导体美国加利福尼亚州工厂提供。同时，中际旭创已在高塔半导体300mm硅光子平台上完成多款NPO产品流片，为后续产品迭代做准备。

中际旭创今年持续推进1.6T、NPO等产品研发

2026年以来，受益于AI算力基础设施建设，高速光模块市场需求持续增长，中际旭创的800G、1.6T光模块出货规模不断扩大。

根据中际旭创2026年半年度报告，上半年，中际旭创实现营业收入417.78亿元，同比增长182.49%；归属于上市公司股东的净利润136.51亿元，同比增长241.70%。其中，1.6T硅光模块进入规模放量阶段，出货量逐季攀升，成为公司收入增长的重要产品。

技术研发上，中际旭创持续加大硅光、相干等技术投入，并布局下一代光互连产品。在2026年OFC展会上，中际旭创展示了12.8T 8×DR8 XPO模块、6.4T 4×DR8 NPO模块、基于薄膜铌酸锂（TFLN）调制器的1.6T OSFP 2×LR4模块，以及800G LR2轻相干光模块。

截至2026年三季度末，中际旭创前三季度实现营业收入695.47亿元，同比增长178.13%；归属于上市公司股东的净利润222.38亿元，同比增长211.81%。公司表示，受全球AI算力基础设施建设推进影响，800G和1.6T等高端光模块销售持续增加。

图片来源：拍信网正版图库

高塔半导体持续扩充硅光子制造能力

高塔半导体成立于1993年，总部位于以色列，是一家特色工艺晶圆代工企业，主要提供模拟及混合信号半导体制造服务，技术平台涵盖硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）、射频CMOS、CMOS图像传感器及电源管理等，产品应用于通信、汽车、工业、医疗及基础设施等领域。

目前，高塔半导体在以色列、美国、日本等地设有晶圆制造工厂，并在意大利与意法半导体共享300mm制造设施，具备200mm和300mm晶圆制造能力。

今年7月，高塔半导体宣布扩大日本硅光子、硅锗及先进封装产能，计划投资约30亿美元，其中约10亿美元由日本政府提供补贴。扩产计划分为两个阶段：

一是改造日本Arai工厂，增加300mm硅光子制造及先进封装能力，预计2027年第四季度具备全面生产条件；二是在日本Uozu现有Fab 7工厂附近新建一座300mm制造工厂，进一步提升硅光子和硅锗产能。

随着AI数据中心对高速、大带宽光互连的需求增长，硅光子技术及NPO、CPO等新型光互连架构受到产业链关注。此次中际旭创与高塔半导体的合作，也进一步推动了高速光模块企业与硅光子晶圆制造企业在下一代光互连产品上的协同开发。（集邦光通信整理）

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