A股射频芯片龙头卓胜微宣布跨界光互连

8月26日，卓胜微发布投资者关系活动记录表，披露公司将向光互连领域进行战略延伸。目前，公司光芯片与电芯片业务正并行推进，其中硅光工艺已进入最后定型阶段。

卓胜微表示，光互连是公司基于长期战略研判作出的重大决策，与现有射频业务具有较好的协同效应。技术层面，光互连与射频同属高频高速电子领域，公司自建的芯卓工艺平台涵盖SOI、锗硅等特色工艺，相关技术能力可实现迁移与复用；运营层面，公司采用的Fab-Lite模式同样适用于光互连业务。

卓胜微表示，公司目前在锗硅工艺上已具备较丰富的量产能力，硅光工艺则进入最后定型阶段。面向光通信等新兴应用，12英寸晶圆产线所构建的SOI、SiGe等特色工艺，与射频前端所需工艺在底层技术逻辑和平台架构上具有较高共通性。

卓胜微由此认为，相关工艺均基于硅基异质集成体系，可共享制造、集成等核心能力，并在统一平台上实现多种特色器件的兼容与集成。

值得注意的是，卓胜微此次布局并非单纯跨界，而是基于既有工艺平台向光芯片、电芯片等方向延伸。公司12英寸产线目前SOI工艺产能约9000片/月，并将根据新产品、新工艺推进情况逐步补充设备、调配产能。

除光互连外，卓胜微还在推进BCD功率电源等特色工艺业务，并将其作为服务算力中心等新兴领域的重要布局。光芯片、电芯片、高性能电源等新方向将与射频主业并行推进。

从产业逻辑来看，AI算力持续提升带动高速互连需求增长，也推动芯片厂商向光通信及相关特色工艺延伸。对于卓胜微而言，若此次战略延伸顺利推进，后续其光互连业务有望进一步从工艺定型走向产品验证、客户导入及规模量产，并逐步发展成为业绩新增长点。（集邦光通信整理）

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