近日，国星光电Micro LED超高清显示研发项目成功点亮nStar Ⅲ。这是一款采用LTPS-TFT玻璃基驱动背板的1.84英寸Micro LED全彩显示屏，该屏采用全倒装无衬底LED像素发光单元，可实现屏幕峰值亮度＞1500nits，像素间距为0.078mm，分辨率360*480，有望应用于Micro LED手表等智能穿戴产品。
Micro LED全彩显示屏--nStar III，图片来源：国星光电
据国星光电介绍，nStar Ⅲ采用国星光电自主研发的巨量转移技术和Micro LED玻璃基封装专利技术，不仅实现＞50多万颗Micro?LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%，还使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。
从2020年6月nStar Ⅰ问世，到2022年9月推出nStar Ⅱ，再到本次迎来nStar Ⅲ，国星光电Micro LED全彩显示屏产品迭代升级正在稳步推进当中。
2020年6月，国星光电第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸显示模组正式面世。技术方面，据介绍，nStar Ⅰ采用玻璃作为基板介质，透明度高达60%；采用RGB芯片巨量转移技术，色域大于100% NTSC，全彩化显示效果更加逼真；采用一体式超薄封装技术，对散热更友好，同时保证了显示效果的一致性以及更低亮度损失；具有更低的失效率，功率可低至LCD的10-20%，OLED的50-70%，可靠性高。
2022年9月，公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显示屏，像素间距300微米（P0.3），采用TFT驱动实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果；基于自主搭建的Micro LED技术创新研发平台，同时突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题，其综合良率提升至99.99%。
伴随着nStar系列产品更新换代，技术上不断向小间距、小尺寸等方面升级，性能持续提升，国星光电后续产品的开发将不断拓宽应用领域。
在Micro LED领域，国星光电近年来大力布局自主研发，自2018年成立Mini&Micro LED研究中心后，2020年又成立了广东省半导体微显示重点实验室，目前，公司在Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。
值得一提的是，国星光电牵头承担的Micro LED全彩显示屏研发项目分别获批国家重点研发计划、广东省重点领域研发计划等科研项目，这有助于国星光电全力推进Micro LED新型显示项目开发，加速关键技术攻坚进程。（LEDinside Carl整理）
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