据外媒报道，美国硅谷公司Sundiode Inc展示了一个全彩Micro LED微显示器，由堆叠式RGB Micro LED像素阵列组成，采用主动矩阵硅基CMOS背板驱动技术。
据悉，Sundiode位于美国加州圣克拉拉的坎贝尔城市，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。今年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术，并宣布与韩国光子技术研究院（Korea Photonics Technology Institute）合作在单晶圆上实现全彩Micro LED像素器件。
在此基础上，Sundiode采用了Jasper Display Corp（位于美国加州圣克拉拉）可助力实现全彩的硅基CMOS背板，开发了堆叠式RGB Micro LED全彩显示器，Micro LED芯片尺寸为100μm，显示器尺寸为15.4mm×8.6mm，分辨率为200PPI。
由堆叠式RGB像素阵列组成的微显示器，每个像素都是堆叠式的RGB Micro LED器件
据介绍，传统Pick & Place取放技术工艺需要单独转移R/G/B三个像素，而Sundiode的专有技术，只需要将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
此外，本次与Sundiode合作的JDC是一家无晶圆IC设计厂，提供支持开发Micro LED的CMOS背板技术，包括全高清、4K分辨率的背板，具有出色的电流一致性和灵活的寻址功能。
此前，英国Plessey也曾选用JDC的硅基背板开发Micro LED显示器。本次与Sundiode的合作再次表明其Micro LED CMOS背板技术可满足客户的定制化需求，适用于低功率的AR设备，也适用于汽车大灯等不同的应用。
目前，Sundiode正在进行下一阶段的研发，旨在显著提升全彩像素密度，以满足AR/MR设备对显示技术的要求。未来，Sundiode将力争开发出基于堆叠式RGB像素技术的超高分辨率微显示器。（LEDinside Janice编译）
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