华灿光电:MiniLED蓄势待发,背光芯片进入发展快车道

进入2021年,MiniLED新型显示的技术的呼声越来越高,各大终端厂商纷纷重兵部署该前沿领域,MiniLED显示技术商用化进程不断加速,大幅拉动MiniLED芯片的需求量。

3月31日,华灿光电副总裁/首席技术官王江波在2021集邦咨询新型显示产业硏讨会上介绍MiniLED芯片的应用趋势及华灿MiniLED背光芯片的产品。

华灿光电副总裁/首席技术官王江波

MiniLED背光市场发展潜力不容小觑

Micro LED在实现产业化的过程中,面临巨量转移等技术瓶颈的掣肘。在此过程中,MiniLED成为各LED企业的发展突破口。MiniLED可分为RGB显示和背光两个应用方向。

MiniLED RGB显示技术作为小间距显示屏的自然延伸,无论是下游应用还是工艺技术均可无缝衔接,有望为LED显示屏注入新的源头活水。在直显市场上,P1.1以下的显示屏应用中,Mini RGB芯片将逐渐占据主流。

而在背光技术上,MiniLED背光具有明显的优势,不仅可以实现超高对比度、宽色域,使得色彩的鲜艳度媲美OLED,还可以减少光学混光距离,降低屏幕厚度实现超薄化。

此外,MiniLED背光显示与传统分立LED器件方案相比,具有散热均匀的优点,可以实现高亮度,使得HDR成为可能。

“MiniLED背光是加速MiniLED产业化的重要推手。MiniLED背光市场的潜力发展不容小觑。”王江波说道。

随着良率的提高,MiniLED背光显示的成本将以每年15-20%的幅度下降,将大比例替代现有的传统LED背光,成为大尺寸液晶背光显示方案的主流选择。

除此以外,IT产品将带动MiniLED在背光上的高需求用量,近三年MiniLED将有望逐渐导入车用显示领域。

华灿光电MiniLED背光芯片优势凸显

在芯片技术上,MiniLED倒装RGB芯片在显示应用上,具有更低的芯片热阻、更好的视觉一致性、无需金线及更好的可靠性等优势。

华灿光电MiniLED背光芯片采用高可靠性、高亮度的DBR+ITO倒装芯片结构,有效解决有Ag银迁移问题,并通过优化的DBR膜层设计和沉积工艺,提高反射率。

可靠性方面,华灿光电MiniLED背光芯片通过高效钝化层的制作,优化的膜系组合,保护侧边钝化层,使得焊接过程更稳定。同时,优化PV和Mesa刻蚀工艺,使金属连接层平滑覆盖,提高可靠性;此外,还通过优化电极结构和金属沉积工艺,阻隔锡膏材料的扩散。

王江波介绍,华灿光电MiniLED背光芯片解决方案混光效果更优秀,适合全面屏,可分区驱动,具有更高对比度,更高色彩饱和度,更省电的特点。针对消费电子产品,可减少光学膜片,使产品更为轻薄。

在解决MiniLED背光芯片产品共性技术的基础上,华灿光电是业内首家导入量产免锡膏封装芯片方案的企业,并且在业内首创高压Mini背光芯片。

Mini/Micro LED产业蓄势待发

王江波表示:“LED微显示技术有很多种,从小间距到MiniLED直显、MiniLED背光再到Micro LED,每个技术都有自身的特点。”

目前,MiniLED背光芯片技术趋于成熟,在大尺寸TV面板,显示器、笔记本及车载等中尺寸应用上展现出优势,未来其发展规模将逐步扩大。

此外,华灿Mini RGB芯片已经实现大规模量产,并在国内外主流客户的重点项目中广泛的应用,显示效果优秀。

在Micro LED方面,王江波表示,目前Micro LED仍处于研发阶段,需要上中下游联合开发,未来将在“一大(大尺寸的高端显示领域)一小(小尺寸的穿戴领)两大市场率先导入应用。(文:LEDinside Mia)

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