国星推出第三代半导体新产品,布局脚步再提速

在“十四五”规划等国家政策的推动下,半导体集成电路领域正在快速成长,其中,第三代半导体器件凭借较大的禁带宽度、高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点,备受企业和资本市场的热捧。

据了解,国星光电于2020年启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作,开始大力布局“三代半封测”领域。

近期,国星正式推出一系列第三代半导体新产品,其中,TO-220/TO247系列的SiC MOSFET和SiC SBD产品已经进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。

与此同时,国星的三代半产品已送至第三方有资质的机构,正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。

目前,国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。

SiC功率器件:国星SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。

GaN-DFN器件:国星GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

功率模块:国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。

展望2021年及未来,国星将把第三代半导体作为战略发展新方向,不断创造新的利润增长点,同时助力推动第三代半导体产业国产化的进程。(LEDinside整理)

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