10亿元硅基氮化镓功率器件项目落户山东青州

4月1日,北京赛微电子股份有限公司(以下简称“赛微电子”)发布公告称,其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司(以下简称“聚能创芯”)拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》,共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司(暂定名,以下简称“聚能国际”)。

聚能国际主要从事 6-8 英寸 GaN 芯片的晶圆制造,将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设,且已经锁定成套热线设备、目标是在 2021 年内建成并做好投产准备。

赛微电子与青州市人民政府签署了合作协议。斥资10亿元,拟在在青州经济开发区分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

据悉,项目总占地面积 30 亩,一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5,000 片/月的生产能力,二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12,000 片/月的生产能力。

项目一期计划建设周期为 9 个月,2021 年底前做好投产前准备,2022 年 上半年投入生产,一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元,利税 8,000 万元。

图片来源:拍信网正版图库

第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,因 其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料, 与第一、二代相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等 恶劣条件的新要求。

截至目前,赛微电子已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”,主要从事功率与微波器件,尤其是氮化镓(GaN)功率与微 波器件的设计、开发。

于 2018 年 6 月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司”,主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延 材料的设计、开发、生产,该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期) 已于 2019 年 9 月达到投产条件,正式投产。

作为赛微电子 GaN 业务一级平台公司, 截至目前,聚能创芯在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

对于此次项目对公司产生的影响,赛微电子称,若项目顺利建成,将有助于公司进一步完善 GaN 业务的全产业链布局,把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口。(来源:化合物半导体市场)

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