4月1日，北京赛微电子股份有限公司（以下简称“赛微电子”）发布公告称，其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司（以下简称“聚能创芯”）拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》，共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司（暂定名，以下简称“聚能国际”）。
聚能国际主要从事 6-8 英寸 GaN 芯片的晶圆制造，将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设，且已经锁定成套热线设备、目标是在 2021 年内建成并做好投产准备。
赛微电子与青州市人民政府签署了合作协议。斥资10亿元，拟在在青州经济开发区分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。
据悉，项目总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5,000 片/月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12,000 片/月的生产能力。
项目一期计划建设周期为 9 个月，2021 年底前做好投产前准备，2022 年 上半年投入生产，一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元，利税 8,000 万元。
图片来源：拍信网正版图库
第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因 其禁带宽度（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料， 与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等 恶劣条件的新要求。
截至目前，赛微电子已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微 波器件的设计、开发。
于 2018 年 6 月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延 材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期） 已于 2019 年 9 月达到投产条件，正式投产。
作为赛微电子 GaN 业务一级平台公司， 截至目前，聚能创芯在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。
对于此次项目对公司产生的影响，赛微电子称，若项目顺利建成，将有助于公司进一步完善 GaN 业务的全产业链布局，把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口。（来源：化合物半导体市场）
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