据外媒报道，武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬底上生长高质量AIN（氮化铝）薄膜的方法。
据悉，研究者特意设计了一种生长改性工艺，将空隙引入AIN薄膜中以过滤位错和释放应力。据称，此方法可在平坦的蓝宝石衬底上生长出几乎无应力的AIN薄膜。
武汉大学工业科学研究院周圣军表示，由于新型冠状病毒疫情的持续传播，AlGaN（铝氮化镓）基UVC LED因其在消毒杀菌方面的应用潜力，关注度不断上升。在低成本的衬底上生长高质量AIN薄膜是实现高效的AlGaN基UVC LED商用化过程中面临的主要挑战。而武大研究者开发了一个低成本的方案，能在平坦的蓝宝石衬底上生长出高效的AIN薄膜。
据介绍，由于AIN与蓝宝石衬底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度很低，在蓝宝石衬底上生长AIN薄膜通常会出现晶体质量差、残余应力高等问题。研究者特意引入空隙，显著减少了潜在的位错。并且，作为额外的应力释放渠道，这些空隙不仅可以降低生长过程中开裂的风险，还能减少冷却后的压缩应力，从而实现在平坦的蓝宝石衬底上生长出几乎无应力的AIN薄膜。
周圣军表示，在图形化衬底上的横向外延过生长是通过光刻和干蚀刻来产生空隙，成本很高。相比之下，武大开发的这个方案简单得多，且成本低。他们相信此方案在推进AlGaN基UVC LED商用化方面的潜力巨大。
报道指出，该研究结果已发表在《应用表面科学》（Applied Surface Science）期刊上。
据武汉大学官方消息显示，周圣军的主要研究方向包括：GaN基蓝光LED外延和芯片、AlGaN基紫外LED外延和芯片、纳米压印技术 (Nanoimprinting lithography)。（LEDinside Janice编译）
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