日前，国星光电发布公告宣布全资子公司佛山市国星半导体技术有限公司（以下简称“国星半导体”）收到国家知识产权局颁发的3项发明专利证书。
公告显示，3项发明专利证书分别为：一种垂直结构LED芯片的制造方法、一种去除DBR膜层的制作方法以及一种高亮度LED芯片及其制作方法，专利期限均为20年。
来源：公司公告
国星光电表示，上述发明专利的取得不会对公司及国星半导体近期生产经营产生重大影响，但有利于国星半导体进一步完善知识产权保护体系，形成持续创新机制，提升核心竞争力。
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