Plessey开发出世界上首个硅基InGaN红光LED

日前,英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称,宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。

尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产,但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说,由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的腔损耗,实现高效超小间距红色像素(<5 μm)仍然遥不可及。

来源:Plessey

与现有的基于AlInGaP的红光相比,基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆以及更好的热/冷系数,因此具有极大的吸引力。然而,由于铟含量高,在有源区中引起显著的应变,从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷,因此,使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。Plessey通过使用专有的应变设计的有源区来制造高效的InGaN Red LED,成功克服了这些挑战。

Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2时的波长为630 nm,半峰全宽为50 nm,热冷系数超过90%,并且在超小像素间距中,其效率高于传统的AlInGaP和颜色转换的红光。有了这个结果,Plessey现在可以制造天然的蓝、绿和红InGaN材料,或者使用其GaN-on-Silicon平台调谐400至650 nm的波长。

来源:Plessey

Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示:“这是一个令人振奋的结果,因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径,将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”(编译:LEDinside James)

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