国星光电两项关于LED封装器件的发明获专利证书

继鸿利智汇之后,国星光电也于昨(17)日晚间发布关于取得发明专利证书的公告。

据公告显示,国星光电于1月17日收到国家知识产权局颁发的2项发明专利证书,所涉及的技术分别是一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法以及一种LED封装器件的制造方法及LED封装器件。

其中,一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法专利号为ZL 20141 0436426.1,证书号为第3199112号;一种LED封装器件的制造方法及LED封装器件专利号为ZL 20151 0469413.9,证书号为第3201090号。两项专利期限均为20年。

国星表示,上述专利的获取不会对公司生产经营造成重大影响,但有助于进一步确立公司的自主知识产权优势,持续优化生产制造工艺及产品品质,对市场开拓及产品推广产生积极影响。

 

 

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