2018年三大Micro LED技术进展精彩回顾

2018年即将过去,Micro LED技术的发展无疑是2018年LED产业最受瞩目的区块,在迎接2019年之前,先让我们来回顾一下几个Micro LED的重要时刻。

KAIST开发出垂直可挠式Micro LED促进头发生长

韩国科学技术院(KAIST)日前开发出一种Micro LED可穿戴装置,运用垂直Micro LED,成功帮助小鼠重新长出毛发。

(图片来源:KAIST)

该装置采用一组有900个垂直Micro LED的灵活阵列,在剃光毛发的小鼠背上进行了测试。经过连续20天的治疗,小鼠毛发生长的速度明显快于未接受治疗的小鼠。而且治疗后小鼠新长出的毛发更长,毛发面积也更宽。

KAIST指出,Micro LED不会升温到损害人体的皮肤,并且与传统的光疗激光器相比,每单位面积的能耗只是其千分之一。该研究成果可以为治疗人类落发提供一个新的方法。

强化Micro LED的新基板材料问世

法国的Soitec更在制作氮化铟镓高亮度蓝色LED中,发明了一新基板InGaNOX,各色LED可同时于基板上长晶。在基板材料相同之下,三原色Micro LED便可用相同电压驱动与控制。

(图片来源:Soitec)

新创与研究中心也纷纷端出创新Micro LED解决方案

英国公司Optovate成立于2008年,在开发Micro/Mini LED技术方面有悠久的历史。今年3月,该公司宣布其在Micro LED方面取得两项突破。首先,Optovate开发了一种使用紫外线雷射和可调整图案掩膜的Micro LED剥离移转技术,用于将Micro LED芯片从基板上打下并直接落在接收基板上。其次,Optovate还开发了光学阵列,可以将从Micro LED芯片射出的光线利用折射和反射原理汇聚集中。这一技术可控制微米级芯片出光,达到更高的效率,当用于LCD和OLED面板背光、Micro LED面板等时,又能使应用设计更加薄型化。

而比利时微电子研究中心(imec)也早已积极投入Micro LED设备的开发,着眼于将Micro LED芯片快速移转至基板上的技术。透过其开发出的CSM机台弹簧结构,可将Micro LED芯片转移至不同的基板上,并且同时可以调整芯片的间距,增加转移与组装效率。Imec台湾区总经理Peter Lemmens认为,头戴装置或是智慧眼镜等应用将可望最先受惠于Micro LED的技术发展。

此外香港的JBD也设计出可以实现单色红色、绿色、蓝色的Micro LED阵列模块显示器的异质整合技术。LEDinside今年也在3月访谈过JBD,并曾撰写JBD采用晶圆接合 (Wafer Bonding) 的方式将Micro LED 做晶圆级转移 (Wafer Level Transfer),来做成单色的Micro LED模块,特别是其绿光的Micro LED阵列模块亮度高达50K nits。

(图片来源: JBD)

Micro LED具微型化芯片与巨量转移特质,需要的不同层次的晶圆片生产与处理制程,因此产业对于设备的需求与以往更加不同,为了让Micro LED技术发展能持续推展,设备商今年也纷纷推出自家在强化Micro LED生产制造的技术。

两大MOCVD厂商AIXTRON与Veeco皆展现其设备在生产波长一致性较高、缺陷密度较低的高质量磊晶硅晶圆片上的优势。其中,Veeco与ALLOS Semiconductor结盟,于11月时展示 ALLOS 200 mm 硅基氮化镓磊晶硅晶圆产品技术在 Veeco Propel® MOCVD 反应器上的可复制性。

而AIXTRON也不惶多让,旗下AIX G5+C与AIX 2800-G4 TM两个平台皆提供MOCVD解决方案,并且能实现高产量的生产目标。旗下采用GasFoilRotation® (GFR) 的Planetary Reactor®技术,是一种结合单晶圆旋转和间歇式反应器处理的混合解决方案。其卫星控制功能使用GFR来实现对单个晶圆的温度控制和流量调节。而AIXTRON在Micro LED技术的研究开发也获得LEDinside所举办的Micro LED前瞻技术比赛首奖。

 

 

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