晶能光电硅基“中国芯”折桂LED行业创新技术和产品奖

2013年4月11日,“2013中国LED产业健康产业发展高峰论坛暨第五届中国LED行业(2012)年度评选颁奖典礼”在深圳举行,晶能光电的“GaN-On-Si LED外延芯片制备技术/硅基大功率蓝光芯片” 荣获“2012中国LED行业创新技术和产品奖”。

此次评选活动是在工业和信息化部电子信息司的指导下,由中国电子报、中国半导体照明/LED产业与应用联盟主办、中国光学光电子行业协会光电器件分会、中国光学光电子行业协会LED显示应用分会联合主办的针对我国LED企业进行的评选。评选通过企业自荐申报与协会专家推荐确定参选入围名单、经来自业界专家组成的评委会评审等步骤最终评定获奖企业。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率LED芯片的公司”,以硅基大功率LED蓝光芯片获奖充分体现了硅基大功率LED芯片量产对于半导体照明的重要意义,也再次确认晶能光电在硅基LED芯片研发制造方面的全球领先地位。

去年晶能光电推出了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在内的四款硅基大功率LED芯片,其中45mil的硅基大功率LED芯片发光效率已经提高到130lm/W,产品封装后蓝光功率最高可达615mW,白光光通量最高可达145lm,而55mil的硅基大功率LED芯片发光效率可达140lm/W。

晶能光电一贯重视研发创新,在硅衬底LED技术方面具有核心竞争力,拥有的硅基氮化镓LED材料与器件技术是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,在蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外,形成了第三条半导体照明技术路线。针对硅衬底LED芯片技术申请了国际国内207项专利,其中PCT专利32项,且已在美国、欧盟、日本和韩国等国家或地区提出了申请,形成了中国唯一一家拥有IP专利垂直整合的LED照明公司。

晶能光电目前硅衬底LED技术生产的芯片具有如下三大优势:

(一)具有原创知识产权,产品可销往国际市场,不受国际专利限制;

(二)具有优良的性能:器件散热好、可在大电流密度下工作、抗静电性能好、寿命长、光斑形状好;

(三)器件封装工艺简单,垂直结构芯片,适合做荧光粉直涂工艺,节约封装成本。

晶能光电具有自主知识产权的硅基LED芯片在全球范围的首次量产实现了中国LED芯片的梦想,是不折不扣的“中国芯”。 晶能光电将在此基础上,通过进一步的技术提升和产能扩大,为LED照明的快速发展做出进一步的贡献。

中国梦,中国芯。

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