韩国三星SDI公佈氧化物半导体TFT驱动12.1英寸有机EL面板的技术细节

据日经BP社报导,韩国三星SDI开发出了采用氧化物半导体IGZO(In-Ga-Zn-O)材料的TFT12.1英吋有机EL面板,并在「SID 2008」上公佈了技术细节。该面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半导体的有源矩阵型TFT阵列和有机EL元件。

此次开发的有机EL面板的图元为1280×768图元(WXGA),解析度为123ppi。亮度为300cd/m2,对比度为2万:1。采用底部发光结构,光从TFT底板侧取得。有机EL材料采用的是低分子材料。但红色用磷光材料,绿色和蓝色采用萤光材料。

TFT的掩膜数量为7片。图元间距为69μm×207μm,图元电路由2个TFT和1个电容器构成。采用底栅结构,栅极、源极及漏极的电极材料采用Mo,栅极绝缘膜采用SiOx/SiNx,并使用了现有的光刻制造技术。IGZO TFT的迁移率为17.2cm2s,开关比为108以上,亚閾值斜率(S值)为0.28V/decade。

三星SDI指出,采用IGZO的TFT其优势在于可以着手量产大尺寸玻璃底板。使用此次的TFT制作方法,甚至可以支援第8代底板。

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