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江西省南昌高新区打造千亿级LED产业园
2010-12-21
江西省南昌高新区打造千亿级LED产业园, 更多详细...
晶能光电获得IFC等国际机构5550万美元增资
2010-12-09
晶能光电获得IFC等国际机构5550万美元增资,近日,中国晶能光电从以国际金融公司(简称IFC)为首的投资机构获得5550万美元资金。 晶能光电在LED技术方面具有自主知识产权,目前已申请或获得国际国内发明专利150多项。该公司指出,中国国家863专家组对该技术曾评价称,该公司的硅衬底LED技术「打破了日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面」。 IFC是世界银行集团成员之一,是全球最大的支持发展中国家私营部门发展的机构,也是对发展中国家的私营企业提供股本金和贷款最多的多边金融机构。除了提供融资,国际金融公司还动员其他出资方,提供投资或諮询顾问服务。 更多详细...
晶能光电入选2010年全球清洁技术100强
2010-10-21
晶能光电入选2010年全球清洁技术100强, ... 请登陆www.latticepower.com。 关于 ... 更多详细...
南昌自创全球LED芯片第三条技术路线,进军全球亟需国家标准助推
2010-09-13
南昌自创全球LED芯片第三条技术路线,进军全球亟需国家标准助推, 更多详细...
江西晶能光电LED芯片获中国LED技术创新奖
2010-05-19
江西晶能光电LED芯片获中国LED技术创新奖,在2010中国LED显示产业高峰论坛暨2009年度LED行业评选颁奖典礼上,江西晶能光电公司凭藉硅衬底功率型蓝光LED芯片荣获「2009年度中国LED技术创新奖」。 据瞭解,LED行业评选活动是由中国国家工信部电子信息司、中国光协光电器件分会、中国光协LED显示应用分会等部门来自业界专家组成的评选委员会对LED企业进行评选。评选通过企业自荐申报与协会专家推荐确定参选入围名单、经评审会评审、打分等步骤最终评定。 更多详细...
南昌:800亩地建LED产业园,力造大陆最大「LED制造中心」
2008-12-09
南昌:800亩地建LED产业园,力造大陆最大「LED制造中心」, 更多详细...
南昌:以「园中园」为载体,建设LED特色工业园
2008-11-25
南昌:以「园中园」为载体,建设LED特色工业园,面对国际国内经济形势变化,江西省南昌高新区充分发挥「国家半导体照明工程产业化基地」的高新技术优势,建设「LED」特色工业园,引导晶能光电、联创光电、欣磊光电等一批行业龙头企业提高技术含量,拓展国际国内市场。 南昌高新区在转变招商引资方式的过程中,重点向「高科技、高投入、高产出、高强度」的方向转变,以「园中园」为载体,重点引进世界500强及国内200强企业,强化重大项目的带动作用。目前,高新区已经形成了从外延片、芯片制造、芯片封装、到LED显示屏及手机背光源等方面应用为主的完整产业链,LED芯片年产量达100亿粒。其中,晶能光电已经成为世界第三家具有原创知识产权的半导体发光材料与器件研发、生产企业。2008年1至10月,高新区四大支柱产业的产值佔全区经济总量的87%以上。 更多详细...
晶能光电:一期工程已竣工,年生产能力达30亿粒LED芯片
2008-11-07
晶能光电:一期工程已竣工,年生产能力达30亿粒LED芯片,日前,具有自主知识产权的新兴半导体生产企业,晶能光电(江西)有限公司一期工程在江西省南昌市正式竣工并投产。 据了解,晶能光电(江西)有限公司是以南昌大学江凤益教授研发的“硅衬底蓝光二极管材料及器件”技术为依托,由金沙江、永威投资、淡马锡等国际风险投资公司注册资金5000万美元,总投资30亿元人民币建立的专门硅衬底LED外延材料与芯片生产的高科技企业。目前,晶能光电是世界上为数不多的在硅上生长氮化镓的公司之一,且产品具有完整自主知识产权。其研制成功,改变了美日等发达国家垄断LED核心技术的局面。 晶能光电的一期工程于4月30日正式投产,年生产能力达到30亿粒LED芯片。其二期投资9亿元人民币,将实现年产100亿粒蓝、绿光LED芯片,力争成为全球具有竞争力的蓝绿色发光二极管生产企业之一。三期投资15亿元人民币,建设LED大功率照明应用产品及产业集群,吸引全球半导体上下游配套产业在南昌集聚。 更多详细...
晶能光电(江西)有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工投产
2008-05-09
晶能光电(江西)有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工投产, 近日,晶能光电(江西)有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工,2008年4月30日上午举行了竣工投产典礼。今年5月份开始量产,形成年产30亿颗芯片的产能。 晶能光电(江西)有限公司专门从事硅衬底氮化鎵基LED外延片材料与芯片生产的高科技企业,坐落在南昌国家高新区美丽的赣江之滨艾溪湖畔。 在氮化鎵基半导体发光材料领域,晶能光电(南昌大学)创造性发展出第三条半导体照明技术路线。该技术是一种改写氮化鎵基LED歷史的新技术,具有原创技术产权,已获得或者公开国际国内发明专利47项。该专案先后得到了在科技部863计画、资讯产业部电子发展基金、教育部和江西省、南昌市等各类科技计画的资助。 晶能光电目前生产的LED芯片具有如下三大特点: (一)具有原创技术产权:产品可销往国际市场。 (二)具有优良的性能:产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高。 (三)器件封装工艺简单:芯片为上下电极,单引线垂直结构,在器件封装时只需单电极引线,简化了封装工艺,节约了封装成本。 更多详细...
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