SSL China 2016: 宽禁带半导体推升高压高速市场需求

第十三届中国国际半导体照明论坛 (SSL China) 暨第三代半导体国际会议 (IFWS) 于2016年11月15-18日于北京国际会议中心举行,贯彻中国十三五国家科技创新规划,支撑落实战略性先进电子材料重点专项。LEDinside 有此荣幸受邀参加会议,纪录众产业专家发表之重点趋势,节集未来五年产业关键将更着重在跨产业应用,包含Micro LED、雷射照明、VCSEL 雷射、LiFi与可见光通讯、智能照明与健康照明。同时受惠于中国对于半导体政策补助,加上高电流、高压、高速市场需求,如基地台、高铁、电动车充电站等等,宽禁带半导体产业发展,包含氮化镓与碳化硅功率组件更受瞩目。同时,因应市场需求,Aixtron 与 VEECO 相继推出适合功率组件设备机台,强调能提升更好的良率与生产力,降低成本,单一反应炉 (Single Wafer Reactor)能提高晶圆质量的一致性。
 
[氮化镓功率组件]
 
相对于使用Si MOSFET 或是 Si IGBT,氮化镓功率组件拥有更高的功率密度、更好的能源效率、高信赖性、高速,相当适合快速开关、散热、与PCB 电路设计 (Layout),提供小体积的产品设计,如AC-DC 电源供应应用于消费者产品、信息中心(Data Center)。
 
 
 
 
 
未来再发展氮化镓功率组件产品上,封装与模块设计上除了更需符合市场需求,同时也需达到市场化生产的可能。2016-2017 年主要市场需求则在AC-DC 电源供应应用于消费者产品、信息中心(Data Center)、工业企业市场、太阳能逆变器、车用市场应用等。
 
[碳化硅功率组件]
氮化镓功率组件将可达到900V 的表现能力;而碳化硅功率组件的产品将更可提升到更高压的市场。目前国际厂商的产品以可达到1200V 以上,更适合应用于高速、高压、高温应用市场,包含高铁、基地台、自动化厂房市场应用等。
SiC MOSFET 拥有更好的低传导损耗 (Lower Conduction Loss) 与低开关损耗 (Lower Switching Loss)。在功率组件模块设计上考虑,除了可靠度外,降低杂散电感电容 (Stray Inductance and Capacitor)是相当重要的,并且产品设计涵盖栅级驱动 (Gate Drive Circuit) 保护电流 (Protection Circuit)。同时,推出更适用的封装将帮助产品应用于市场。若能有相关云端监测系统帮助工作寿命与可靠度的提升,也是相当符合市场需求。美国与日本国际厂商尽如碳化硅功率组件较早,产品也有明显的大幅发展,然而韩国也建立的相当完整的供应链,期待未来市场发展迅速。
 
 
文 Joanne 吴盈洁 / LEDinside
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