Aixtron推出新款AIX G5+矽基氮化镓(Gan-on-Si ) MOCVD设备,可一次处理5片8吋晶圆

用于AIX G5反应器平台的5x200mm(8吋) Gan-on-Si矽基氮化镓技术

德国复合半导体设备大厂爱思强股份有限公司(Aixtron)推出最新产品AIX G5+,为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备。基于以客户为中心的发展计划,爱思强的研发实验室开发了此技术并设计并制造了此产品,包括特别设计的反应器硬件和制程。该产品现已作为AIX G5系列的一部分推出,因此所有现有的G5系统均可升级至这一新设备。爱思强已经向部分关键客户透露了G5+的详情。



“矽基氮化镓技术是当今MOCVD用户和制造商的热门话题。”爱思强市场部副总裁Rainer Beccard博士表示,“它是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术,同时在未来低成本高性能的高亮度LED产品制造方面拥有良好的前景。晶圆尺寸以及材料对于制造制程的成本效益至关重要,因此过渡到200 mm的标准矽晶圆,将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。”

“爱思强坚信在200 mm矽基氮化镓的制程上,均匀性与良率是成功的关键因素,因此我们进行了一个专门的研发计划。”爱思强副总裁兼功率电子器件项目经理Frank Wischmeyer博士补充说,“首先,我们经过了反复的数值模拟,从而设计出能够与现有的AIX G5反应器平台兼容,而且足以胜任5x200 mm制程的独特制程性能的新基本部件。”而最终实现的极其稳定的制程流程提供了较其他任何MOCVD平台更为均匀的材料特性以及更高的设备良率,同时也拥有5x200 mm的晶圆生产能力。

来自客户的初步反馈,也印证了这一技术发展的巨大成功。很多客户特别指出,所有5x200 mm晶圆具有完全旋转对称的均匀形状、标准厚度的矽基衬底以及严格可控的晶圆弯曲度,均完全符合他们所需的矽质生产需要。Wischmeyer博士介绍说:“这样均匀一致的生产能力,一直以来都是爱思强行星式反应器®技术的独有优势,如今也可以成功应用到200 mm矽基氮化镓晶圆的生产上。”

 

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