用于AIX G5反应器平台的5x200mm(8吋) Gan-on-Si矽基氮化镓技术
德国复合半导体设备大厂爱思强股份有限公司(Aixtron)推出最新产品AIX G5+，为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备。基于以客户为中心的发展计划，爱思强的研发实验室开发了此技术并设计并制造了此产品，包括特别设计的反应器硬件和制程。该产品现已作为AIX G5系列的一部分推出，因此所有现有的G5系统均可升级至这一新设备。爱思强已经向部分关键客户透露了G5+的详情。
“矽基氮化镓技术是当今MOCVD用户和制造商的热门话题。”爱思强市场部副总裁Rainer Beccard博士表示，“它是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术，同时在未来低成本高性能的高亮度LED产品制造方面拥有良好的前景。晶圆尺寸以及材料对于制造制程的成本效益至关重要，因此过渡到200 mm的标准矽晶圆，将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。”
“爱思强坚信在200 mm矽基氮化镓的制程上，均匀性与良率是成功的关键因素，因此我们进行了一个专门的研发计划。”爱思强副总裁兼功率电子器件项目经理Frank Wischmeyer博士补充说，“首先，我们经过了反复的数值模拟，从而设计出能够与现有的AIX G5反应器平台兼容，而且足以胜任5x200 mm制程的独特制程性能的新基本部件。”而最终实现的极其稳定的制程流程提供了较其他任何MOCVD平台更为均匀的材料特性以及更高的设备良率，同时也拥有5x200 mm的晶圆生产能力。
来自客户的初步反馈，也印证了这一技术发展的巨大成功。很多客户特别指出，所有5x200 mm晶圆具有完全旋转对称的均匀形状、标准厚度的矽基衬底以及严格可控的晶圆弯曲度，均完全符合他们所需的矽质生产需要。Wischmeyer博士介绍说：“这样均匀一致的生产能力，一直以来都是爱思强行星式反应器®技术的独有优势，如今也可以成功应用到200 mm矽基氮化镓晶圆的生产上。”
